| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 引言 | 第9-25页 |
| 1.1 二维纳米材料简介 | 第9页 |
| 1.2 石墨烯相关材料简介 | 第9-14页 |
| 1.2.1 石墨烯材料电子结构及其实验制备 | 第10-13页 |
| 1.2.2 化学修饰石墨烯材料 | 第13-14页 |
| 1.3 二维六角氮化硼材料简介 | 第14-19页 |
| 1.3.1 六角氮化硼材料结构及其性质 | 第15-17页 |
| 1.3.2 化学修饰二维六角氮化硼材料 | 第17-19页 |
| 1.4 外部条件对二维纳米材料性质的调控 | 第19-23页 |
| 1.4.1 化学掺杂对二维纳米材料的电子结构的影响 | 第19-21页 |
| 1.4.2 外场调控对二维纳米材料电子结构的影响 | 第21-23页 |
| 1.5 本论文的研究依据及研究的主要内容 | 第23-25页 |
| 第2章 理论背景和方法 | 第25-34页 |
| 2.1 第一性原理方法及密度泛函理论 | 第25-31页 |
| 2.1.1 绝热近似理论——Born-oppenheimer近似 | 第26-27页 |
| 2.1.2 Hohenberg-Kohn定理以及Kohn-Sham方程 | 第27-29页 |
| 2.1.3 交换关联泛函（LDA和GGA） | 第29-31页 |
| 2.1.4 赝势方法 | 第31页 |
| 2.2 非平衡格林函数及Landauer模型 | 第31-34页 |
| 第3章 化学修饰对石墨烯及二维六角氮化硼表面功函数的调制效应 | 第34-52页 |
| 3.1 引言 | 第34-36页 |
| 3.2 计算细节与模型分析 | 第36-39页 |
| 3.3 计算结果分析及讨论 | 第39-51页 |
| 3.3.1 化学修饰的石墨烯结构稳定性分析 | 第39-41页 |
| 3.3.2 化学修饰对石墨烯电子结构性质的影响 | 第41-45页 |
| 3.3.3 化学修饰的二维六角氮化硼结构稳定性分析 | 第45-47页 |
| 3.3.4 化学修饰对二维六角氮化硼电子性质的影响 | 第47-51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第4章 3d过渡金属嵌入对双层石墨烯、二维六角氮化硼电子输运性质的调控 | 第52-66页 |
| 4.1 引言 | 第52-53页 |
| 4.2 计算细节与模型分析 | 第53-54页 |
| 4.3 计算结果分析与讨论 | 第54-65页 |
| 4.3.1 双层石墨烯及二维六角氮化硼在器件中的稳定性分析 | 第54-57页 |
| 4.3.2 双层石墨烯及二维六角氮化硼结构在器件中的电子性质 | 第57-60页 |
| 4.3.3 双层石墨烯及二维六角氮化硼在器件中的电输运性质 | 第60-65页 |
| 4.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 第5章 准二维Bi2Se3薄膜在器件中的电输运性质研究 | 第66-73页 |
| 5.1 引言 | 第66-68页 |
| 5.2 模型分析与计算方法 | 第68-69页 |
| 5.3 计算结果分析与讨论 | 第69-72页 |
| 5.3.1 Bi2Se3准二维薄膜结构在器件中的稳定性分析 | 第69-70页 |
| 5.3.2 Bi2Se3准二维薄膜在器件中的电子输运性质 | 第70-72页 |
| 5.4 本章小结 | 第72-73页 |
| 第6章 过渡金属掺杂石墨烷自旋态的电场调控 | 第73-83页 |
| 6.1 引言 | 第73-74页 |
| 6.2 计算细节与模型分析 | 第74-75页 |
| 6.3 计算结果分析及讨论 | 第75-82页 |
| 6.3.1 过渡金属掺杂石墨烷的结构及稳定性 | 第75-76页 |
| 6.3.2 过渡金属掺杂石墨烷的电子性质 | 第76-80页 |
| 6.3.3 外加电场对过渡金属掺杂石墨烷磁性的调制 | 第80-82页 |
| 6.4 本章小结 | 第82-83页 |
| 第7章 总结和展望 | 第83-85页 |
| 7.1 工作总结 | 第83页 |
| 7.2 工作展望 | 第83-85页 |
| 参考文献 | 第85-96页 |
| 致谢 | 第96-97页 |
| 攻读博士学位期间完成的主要工作 | 第97页 |
