| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 主要符号对照表 | 第11-12页 |
| 第1章. 引言 | 第12-32页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第12-22页 |
| 1.1.1 功率半导体芯片发展与背景 | 第12-16页 |
| 1.1.2 SiC功率器件 | 第16-22页 |
| 1.2 SIC功率器件国内外研究现状 | 第22-27页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第22-25页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第25-27页 |
| 1.3 芯片三维集成技术发展 | 第27-30页 |
| 1.3.1 功率模块发展现状 | 第27-29页 |
| 1.3.2 单芯片功率器件三维堆叠 | 第29-30页 |
| 1.4 论文的研究内容与安排 | 第30-32页 |
| 第2章. SiC双极型功率芯片封装设计 | 第32-48页 |
| 2.1 双极型功率芯片封装设计思路 | 第32-33页 |
| 2.2 高压硅堆解剖成分和结构分析 | 第33-37页 |
| 2.3 SiC SBD(肖特基二极管)特征 | 第37-39页 |
| 2.4 SiC SBD三维堆叠方案设计 | 第39-45页 |
| 2.4.1 金属凸点电极 | 第39-40页 |
| 2.4.2 介质层 | 第40页 |
| 2.4.3 键合方法 | 第40-41页 |
| 2.4.4 堆叠方案 | 第41-45页 |
| 2.5 器件内部电压分布分析 | 第45-46页 |
| 2.6 实验堆叠方案选择 | 第46页 |
| 2.7 小结 | 第46-48页 |
| 第3章. SiC双极型功率芯片三维堆叠工艺 | 第48-62页 |
| 3.1 工艺流程 | 第48页 |
| 3.2 WB金属凸点制备工艺 | 第48-56页 |
| 3.2.1 引线键合制作金凸点工艺参数关系 | 第50-51页 |
| 3.2.2 金凸点选择 | 第51-55页 |
| 3.2.3 金凸点墩平 | 第55-56页 |
| 3.3 芯片清洗 | 第56-58页 |
| 3.3.1 湿法清洗 | 第56页 |
| 3.3.2 等离子气体清洗 | 第56-58页 |
| 3.4 键合工艺 | 第58-60页 |
| 3.5 小结 | 第60-62页 |
| 第4章. 可靠性分析 | 第62-80页 |
| 4.1 键合强度测试 | 第62-71页 |
| 4.1.1 引线键合所制备金凸点的键合强度测试[71]： | 第62-65页 |
| 4.1.2 Au-Ag热压键合强度测试 | 第65-71页 |
| 4.2 Au-Ag键合可靠性分析 | 第71-78页 |
| 4.2.1 Au-Ag键合原理 | 第71-74页 |
| 4.2.2 键合可靠性分析 | 第74-78页 |
| 4.3 小结：键合形成机理 | 第78-80页 |
| 第5章. 总结 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-86页 |
| 致谢 | 第86-89页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第89页 |