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功率IGBT驱动电路设计

摘要第5-6页
abstract第6页
第一章 绪论第9-15页
    1.1 课题的研究背景与研究意义第9-10页
    1.2 相关技术的国内外发展现状第10-13页
        1.2.1 IGBT的国内外发展现状第10-12页
        1.2.2 IGBT驱动电路的国内外发展现状第12-13页
        1.2.3 IGBT驱动技术未来的发展趋势第13页
    1.3 本文主要工作第13-15页
第二章 IGBT概述以及驱动芯片设计要求第15-27页
    2.1 IGBT概述第15-22页
        2.1.1 IGBT的结构以及原理第15-17页
            2.1.1.1 IGBT器件的结构第15页
            2.1.1.2 IGBT器件的工作原理第15-17页
        2.1.2 IGBT的工作特性第17-21页
            2.1.2.1 IGBT的静态特性第17-18页
            2.1.2.2 IGBT的动态特性第18-21页
        2.1.3 IGBT的擎住效应和安全工作区第21-22页
            2.1.3.1 IGBT的擎住效应第21页
            2.1.3.2 IGBT的安全工作区第21-22页
    2.2 IGBT驱动芯片介绍第22-26页
        2.2.1 IGBT对驱动电路的要求第22-23页
        2.2.2 驱动芯片整体框架图以及各模块功能介绍第23-26页
        2.2.3 本文驱动电路参数设计指标第26页
    2.3 本章小结第26-27页
第三章 芯片部分子电路设计与仿真第27-62页
    3.1 基准电路第27-35页
        3.1.1 带隙基准电压源的原理第27页
        3.1.2 基准电路的关键指标第27-28页
        3.1.3 本文基准电压源电路原理分析第28-30页
            3.1.3.1 启动电路第28-29页
            3.1.3.2 基准电压产生电路第29-30页
            3.1.3.3 偏置电路第30页
        3.1.4 基准电路的仿真验证第30-33页
        3.1.5 对基准电压源改进第33-35页
    3.2 输入接口电路第35-41页
        3.2.1 输入接口电路的结构和工作原理第35-39页
        3.2.2 输入接口电路的仿真结果第39-41页
    3.3 欠压保护电路第41-48页
        3.3.1 欠压保护电路的结构和工作机理第41-45页
        3.3.2 欠压保护电路的仿真结果第45-48页
    3.4 高压电平位移电路第48-60页
        3.4.1 双脉冲信号产生电路第49-51页
        3.4.2 高压电平位移核心电路第51-54页
        3.4.3 滤波电路第54-57页
        3.4.4 脉冲解调电路第57-59页
        3.4.5 电平位移整体仿真第59-60页
    3.5 低端延迟电路第60-61页
    3.6 本章小结第61-62页
第四章 IGBT驱动电路整体仿真与分析第62-74页
    4.1 驱动整体电路的功能仿真第62-71页
        4.1.1 低端欠压保护功能测试第63-64页
        4.1.2 高端欠压保护功能测试第64-65页
        4.1.3 短路保护功能测试第65-67页
        4.1.4 过温保护功能测试第67-69页
        4.1.5 驱动电路瞬态测试第69-71页
    4.2 驱动整体电路的参数仿真第71-73页
        4.2.1 信号传输时间仿真第71页
        4.2.2 驱动接口驱动电流仿真第71-72页
        4.2.3 驱动电路各项参数汇总第72-73页
    4.3 本章小结第73-74页
第五章 结论第74-75页
致谢第75-76页
参考文献第76-79页
攻读硕士学位期间取得的成果第79-80页

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