| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第11-13页 |
| 1.2 宽带隙半导体 | 第13-16页 |
| 1.3 氧化镓材料日盲紫外光敏特性的国内外研究现状 | 第16-20页 |
| 1.4 本文研究内容 | 第20-21页 |
| 第二章 研究方法与设备简介 | 第21-34页 |
| 2.1 实验薄膜样品制备方法简介 | 第21-23页 |
| 2.1.1 分子束外延薄膜生长装置 | 第21-22页 |
| 2.1.2 磁控溅射薄膜生长装置 | 第22-23页 |
| 2.2 实验样品辅助制备装置简介 | 第23-26页 |
| 2.2.1 蓝宝石衬底的预退火处理装置 | 第23-24页 |
| 2.2.2 氟元素表面掺杂装置 | 第24页 |
| 2.2.3 基于氧化镓薄膜的器件的制备过程及制备装置 | 第24-26页 |
| 2.3 材料物理特性的表征方法与装置 | 第26-29页 |
| 2.3.1 原子力显微镜 | 第26-27页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜与透射电子显微镜 | 第27-28页 |
| 2.3.3 X射线衍射 | 第28页 |
| 2.3.4 X射线光电子能谱 | 第28-29页 |
| 2.4 基于氧化镓薄膜的MSM日盲紫外探测器的制备与测试 | 第29-33页 |
| 2.4.1 MSM器件设计与工作机理 | 第29-30页 |
| 2.4.2 器件主要测试指标 | 第30-32页 |
| 2.4.3 测量方法与设备平台 | 第32-33页 |
| 2.5 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 衬底退火预处理对氧化镓薄膜结晶质量及紫外光敏特性的影响 | 第34-47页 |
| 3.1 C面蓝宝石衬底的真空高温退火预处理 | 第34页 |
| 3.2 基于氧化镓薄膜的MSM日盲紫外探测器件的制备 | 第34-36页 |
| 3.3 衬底退火预处理对氧化镓薄膜晶体结构的影响 | 第36-41页 |
| 3.4 衬底退火预处理对氧化镓薄膜日盲紫外光敏特性的影响 | 第41-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 氟元素表面掺杂对氧化镓薄膜材料特性及紫外光敏特性的影响 | 第47-58页 |
| 4.1 氧化镓薄膜的氟表面掺杂处理 | 第48页 |
| 4.2 氟元素表面掺杂处理对氧化镓薄膜晶格结构的影响 | 第48-51页 |
| 4.3 氟元素表面掺杂处理对氧化镓薄膜日盲紫外光敏特性的影响 | 第51-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-58页 |
| 第五章 非晶氧化镓与晶态氧化镓薄膜的日盲紫外光敏特性差异与其影响机理 | 第58-65页 |
| 5.1 非晶氧化镓薄膜与晶态氧化镓单晶薄膜的材料特性差异 | 第58-62页 |
| 5.2 非晶氧化镓薄膜与晶态氧化镓薄膜的日盲紫外光敏特性差异 | 第62-64页 |
| 5.3 本章小结 | 第64-65页 |
| 第六章 研究总结与发展展望 | 第65-67页 |
| 6.1 研究总结 | 第65-66页 |
| 6.2 发展展望 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-75页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第75-76页 |
