GLSI多层铜布线阻挡层CMP及其后清洗表面粗糙度的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| ·课题研究背景 | 第9-11页 |
| ·集成电路的发展 | 第9-10页 |
| ·多层铜互连与全局平坦化 | 第10-11页 |
| ·CMP技术简介 | 第11-13页 |
| ·CMP技术的发展及应用 | 第11-12页 |
| ·CMP机理简述 | 第12-13页 |
| ·阻挡层的特性及研究 | 第13-17页 |
| ·阻挡层材料的引入 | 第13-14页 |
| ·阻挡层CMP的研究 | 第14-17页 |
| ·CMP后清洗 | 第17页 |
| ·课题实验可行性分析 | 第17-19页 |
| ·Cu的CMP机理 | 第17页 |
| ·Ta的CMP机理 | 第17-18页 |
| ·TEOS的CMP机理 | 第18页 |
| ·CMP后清洗机理 | 第18-19页 |
| ·课题研究内容及意义 | 第19-21页 |
| 第二章 化学机械工艺设备与材料 | 第21-29页 |
| ·实验工艺设备 | 第21-25页 |
| ·抛光机 | 第21-22页 |
| ·抛光垫 | 第22页 |
| ·原子力显微镜 | 第22-23页 |
| ·XP-300台阶仪 | 第23-24页 |
| ·电子分析天平 | 第24页 |
| ·梅特勒-托利多S40K pH计 | 第24-25页 |
| ·实验材料 | 第25-28页 |
| ·纳米SiO_2溶胶磨料 | 第25-26页 |
| ·FA/O螯合剂 | 第26-27页 |
| ·表面活性剂 | 第27-28页 |
| ·抛光片 | 第28页 |
| ·小结 | 第28-29页 |
| 第三章 化学机械抛光对Cu片表面粗糙度的影响 | 第29-41页 |
| ·实验条件 | 第29页 |
| ·实验设备 | 第29页 |
| ·实验材料 | 第29页 |
| ·实验方法 | 第29页 |
| ·CMP工艺条件对表面粗糙度的影响 | 第29-33页 |
| ·抛光压力的影响 | 第30-31页 |
| ·转速的影响 | 第31-32页 |
| ·流量的影响 | 第32-33页 |
| ·抛光液组分对表面粗糙度的影响 | 第33-37页 |
| ·磨料的影响 | 第34页 |
| ·非离子型表面活性剂的影响 | 第34-35页 |
| ·螯合剂的影响 | 第35-36页 |
| ·pH值的影响 | 第36-37页 |
| ·抛光工艺及抛光液的优化实验 | 第37-39页 |
| ·小结 | 第39-41页 |
| 第四章 CMP后清洗实验 | 第41-49页 |
| ·实验条件 | 第42-43页 |
| ·实验思路 | 第42页 |
| ·FA/OⅡ螯合剂的影响 | 第42-43页 |
| ·活性剂的影响 | 第43页 |
| ·清洗液最终优化 | 第43-44页 |
| ·12英寸pattern片实验 | 第44-47页 |
| ·小结 | 第47-49页 |
| 第五章 结论 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57页 |
