| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| ·课题背景及意义 | 第8-9页 |
| ·金刚石的性质及应用 | 第9-11页 |
| ·金刚石薄膜的国内外研究现状 | 第11-14页 |
| ·本论文的主要内容 | 第14页 |
| 本章小结 | 第14-16页 |
| 第二章 金刚石薄膜的制备与检测方法 | 第16-26页 |
| ·金刚石薄膜的生长原理与机制 | 第16-19页 |
| ·动力学模型 | 第17页 |
| ·表面反应模型 | 第17页 |
| ·CH_3活性生长基团模型 | 第17-19页 |
| ·金刚石薄膜的制备方法 | 第19-20页 |
| ·燃烧火焰法 | 第19页 |
| ·微波等离子体化学气相淀积（MPCVD） | 第19页 |
| ·热丝化学气相淀积（HFCVD） | 第19-20页 |
| ·金刚石薄膜的检测方法 | 第20-25页 |
| ·金相显微镜与扫描电子显微镜（SEM） | 第20-21页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第21-22页 |
| ·X射线衍射（XRD） | 第22-25页 |
| 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 HFCVD制备金刚石薄膜的实验研究 | 第26-41页 |
| ·实验过程 | 第26-29页 |
| ·衬底预处理 | 第27-28页 |
| ·灯丝的选择与处理 | 第28页 |
| ·电流与功率的控制 | 第28-29页 |
| ·退火降温 | 第29页 |
| ·结果与讨论 | 第29-34页 |
| ·碳源浓度对CVD金刚石膜的影响 | 第29-32页 |
| ·生长温度对CVD金刚石膜的影响 | 第32-34页 |
| ·不同取向的金刚石膜的生长 | 第34-37页 |
| ·碳源浓度和温度对于金刚石取向的影响 | 第34-36页 |
| ·衬底取向对于金刚石取向的影响 | 第36-37页 |
| ·分步生长法 | 第37-38页 |
| 本章小结 | 第38-41页 |
| 第四章 压电薄膜的选择、制备方法与检测手段 | 第41-47页 |
| ·压电薄膜的种类与选择 | 第41-42页 |
| ·ZnO薄膜的制备方法 | 第42-44页 |
| ·热蒸发技术 | 第42-43页 |
| ·分子束外延（MBE） | 第43页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第43页 |
| ·金属有机物化学气相沉积(MOCVD) | 第43-44页 |
| ·磁控溅射法 | 第44页 |
| ·ZnO压电特性的检测手段 | 第44-45页 |
| 本章小结 | 第45-47页 |
| 第五章 磁控溅射法制备ZnO薄膜的实验研究及多层膜的性能分析 | 第47-57页 |
| ·实验过程 | 第47-48页 |
| ·结果与讨论 | 第48-53页 |
| ·衬底温度对ZnO薄膜生长的影响 | 第48-51页 |
| ·溅射功率对ZnO薄膜生长的影响 | 第51-53页 |
| ·溅射压强和氩氧比对ZnO薄膜生长的影响 | 第53页 |
| ·ZnO/Diamond/Si多层膜性能及SAW器件性能的理论分析 | 第53-55页 |
| 本章小结 | 第55-57页 |
| 第六章 结论 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65页 |