集成电路射频控制系统研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-8页 |
| 第一章 集成电路制造工艺简介 | 第8-14页 |
| ·集成电路发展历史 | 第8-9页 |
| ·工艺流程 | 第9-14页 |
| ·离子扩散（DIFF） | 第10页 |
| ·光刻（LITHO） | 第10-11页 |
| ·薄膜淀积（Thin Film） | 第11页 |
| ·蚀刻（ETCH） | 第11-14页 |
| 第二章 干法蚀刻工艺原理研究 | 第14-34页 |
| ·电浆蚀刻技术 | 第14-19页 |
| ·电浆原理 | 第14-15页 |
| ·电浆的产生方法 | 第15-17页 |
| ·电浆辅助蚀刻技术 | 第17-19页 |
| ·蚀刻速率和选择性的控制 | 第19-23页 |
| ·离子能量的入射角 | 第19-20页 |
| ·工艺气体的成分 | 第20-21页 |
| ·压强、频率和功率密度 | 第21-22页 |
| ·流量 | 第22页 |
| ·温度 | 第22-23页 |
| ·电浆干法蚀刻的硬件组成 | 第23-34页 |
| ·Chamber 反应仓 | 第23-25页 |
| ·Pump 泵 | 第25-29页 |
| ·Meter 压力计 | 第29-31页 |
| ·VALVE 阀 | 第31-32页 |
| ·MFC 流量计 | 第32-34页 |
| 第三章 电浆与射频研究 | 第34-46页 |
| ·电浆 | 第34-37页 |
| ·电浆的产生方法 | 第34-35页 |
| ·电浆的分类 | 第35页 |
| ·电浆的参数 | 第35-37页 |
| ·电浆源介绍 | 第37-41页 |
| ·CCP 电浆源 | 第37-38页 |
| ·ICP 电浆源 | 第38-40页 |
| ·ECR 电浆源 | 第40-41页 |
| ·电浆诊断 | 第41-44页 |
| ·朗谬探针诊断 | 第41-42页 |
| ·光学诊断 | 第42-43页 |
| ·电学性能诊断 | 第43-44页 |
| ·电浆干法蚀刻相关参数 | 第44-46页 |
| ·电浆密度 | 第44页 |
| ·电浆密度均匀性 | 第44-45页 |
| ·电浆直流偏压 | 第45页 |
| ·射频频率 | 第45-46页 |
| 第四章 射频系统研究 | 第46-68页 |
| ·射频系统概述 | 第46-48页 |
| ·射频系统定义 | 第46-47页 |
| ·射频发射器使用范围 | 第47页 |
| ·射频发射器工作原理 | 第47-48页 |
| ·射频系统组成 | 第48-54页 |
| ·射频发射器（RF Generator） | 第48-50页 |
| ·射频同轴线（Coaxial Cable） | 第50-51页 |
| ·射频匹配器（RF Match） | 第51-53页 |
| ·射频测试仪（Power Meter） | 第53-54页 |
| ·史密斯圆图 | 第54-58页 |
| ·史密斯图求电压驻波比（VSWR） | 第55-56页 |
| ·史密斯图求导纳 | 第56页 |
| ·史密斯图阻抗匹配 | 第56-58页 |
| ·微波系统 | 第58-62页 |
| ·微波发生器（Magnetron） | 第59页 |
| ·微波传送（Wave Guide） | 第59-60页 |
| ·微波负载（Wave Guide） | 第60-61页 |
| ·微波匹配器（Stub Tuner） | 第61页 |
| ·微波与射频（Microwave&RF） | 第61-62页 |
| ·射频系统实验 | 第62-68页 |
| ·膜厚测量 | 第62-63页 |
| ·膜厚测量机台 | 第63-64页 |
| ·实验的设定及分析 | 第64-67页 |
| ·实验结论 | 第67-68页 |
| 第五章 射频系统的展望 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
