湿法刻蚀与清洗中晶圆缺陷问题的研究

中文摘要	第1-4页
ABSTRACT	第4-6页
第一章 绪论	第6-12页
·微电子技术的介绍	第6-8页
·集成电路的介绍	第8-9页
·半导体制造流程简介	第9-10页
·研究湿法刻蚀和清洗中晶圆缺陷问题的重要性	第10-11页
·课题内容、背景与意义	第11-12页
第二章 湿法刻蚀与清洗工艺流程	第12-19页
·湿法刻蚀与清洗的简单介绍	第12-13页
·湿法刻蚀的分类	第13-16页
·湿法清洗的分类	第16-19页
第三 章湿法刻蚀与清洗所需的物质	第19-27页
·刻蚀液	第19-20页
·清洗液	第20-21页
·去离子水	第21-22页
·异丙醇	第22页
·刻蚀清洗机	第22-27页
第四章 湿法刻蚀和清洗的重要参数	第27-29页
·刻蚀速率	第27页
·选择比	第27-28页
·均匀性	第28-29页
第五章 晶圆缺陷问题的研究	第29-42页
·多晶硅膜残留缺陷的研究	第29-31页
·线形光刻胶附着物缺陷的研究	第31-34页
·晶圆圆心厚度缺陷的研究	第34-37页
·单晶硅膜孔洞缺陷的研究	第37-42页
第六章 结论与意义	第42-43页
参考文献	第43-44页
发表论文和科研情况说明	第44-45页
致谢	第45页