| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·存储技术的发展 | 第9-11页 |
| ·微电子的存储和发展 | 第9-10页 |
| ·新型存储技术的发展 | 第10-11页 |
| ·阻变存储器件的结构 | 第11页 |
| ·阻变存储的材料体系及电极材料 | 第11-13页 |
| ·电极材料的选择 | 第11页 |
| ·阻变存储的材料体系 | 第11-13页 |
| ·VO_X 的结构与特性及制备方法 | 第13-15页 |
| ·VO_X 的结构与特性 | 第13-14页 |
| ·VO_X 的制备方法 | 第14-15页 |
| ·VO_X 材料体系的研究现状及应用 | 第15-16页 |
| ·基于VO_X 材料体系的 RRAM 的研究现状及存在问题 | 第16-17页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第17-18页 |
| 第二章 VO_X 薄膜制备的实验方法及过程 | 第18-23页 |
| ·实验内容 | 第18页 |
| ·VO_X 薄膜的制备设备 | 第18-19页 |
| ·实验流程 | 第19-21页 |
| ·衬底的清洗 | 第19-20页 |
| ·粘附层的制备 | 第20页 |
| ·上下电极的制备 | 第20页 |
| ·氧化钒薄膜的制备 | 第20-21页 |
| ·样品测试与表征方法 | 第21-23页 |
| 第三章 VO_X 薄膜的沉积影响因素 | 第23-34页 |
| ·氧分压对VO_X 薄膜性能的影响 | 第23-25页 |
| ·氧分压对VO_X 薄膜的沉积速率的影响 | 第23-24页 |
| ·氧分压对VO_X 薄膜XRD 的影响 | 第24页 |
| ·氧分压对VO_X 薄膜初始电阻大小的影响 | 第24-25页 |
| ·溅射功率对VO_X 薄膜沉积速率及初始电阻的影响 | 第25-26页 |
| ·溅射功率对VO_X 薄膜沉积速率的影响 | 第25页 |
| ·溅射功率对VO_X 薄膜初始电阻大小的影响 | 第25-26页 |
| ·工作压强对VO_X 薄膜沉积速率及初始电阻的影响 | 第26-27页 |
| ·衬底温度对VO_X 薄膜沉积速率及结晶取向的影响 | 第27-28页 |
| ·衬底温度对VO_X 薄膜沉积速率的影响 | 第27页 |
| ·衬底温度对VO_X 薄膜XRD 的影响 | 第27-28页 |
| ·退火温度对VO_X 薄膜结晶取向及形貌的影响 | 第28-30页 |
| ·退火温度对VO_X 薄膜XRD 的影响 | 第28-29页 |
| ·退火温度对VO_X 薄膜表面形貌的影响 | 第29-30页 |
| ·不同温度下AFM 原位测量VO_X 薄膜形貌的变化 | 第30-31页 |
| ·厚度对VO_X 薄膜形貌的影响 | 第31-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 基于VO_X 的RRAM 器件单元的构建及表征 | 第34-45页 |
| ·三明治结构单元的设计 | 第34页 |
| ·可逆转变的阈值电压的优化 | 第34-35页 |
| ·沉积条件对VO_X 的可逆电阻开关特性的影响 | 第35-41页 |
| ·衬底温度对VO_X 可逆电阻开关特性的影响 | 第35-37页 |
| ·溅射功率对VO_X 可逆电阻开关特性的影响 | 第37-39页 |
| ·退火时间对VO_X 可逆电阻开关特性的影响 | 第39-41页 |
| ·VO_X 可逆电阻开关特性极性的分析 | 第41-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 Cu/VO_X/Cu 阻变机制的探索 | 第45-51页 |
| ·目前存在的阻变机制 | 第45-47页 |
| ·各种阻变机制的电流-电压关系 | 第47-48页 |
| ·氧化钒体系的阻变机制 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第六章 总结与展望 | 第51-53页 |
| ·全文总结 | 第51-52页 |
| ·展望 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
