| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 致谢 | 第7-12页 |
| 第一章. 绪论 | 第12-21页 |
| ·集成电路发展概况 | 第12-13页 |
| ·半导体芯片制造技术的发展 | 第13页 |
| ·集成电路设计技术的发展 | 第13-16页 |
| ·VLSI 集成电路设计特点 | 第13-15页 |
| ·纳米时代的集成电路设计技术 | 第15-16页 |
| ·纳米时代集成电路的可制造性设计问题 | 第16-21页 |
| ·纳米时代的光刻技术 | 第16-18页 |
| ·电镀铜 | 第18-19页 |
| ·化学机械研磨 | 第19-21页 |
| 第二章. CMP 工艺介绍及现存问题 | 第21-30页 |
| ·CMP 简介 | 第21页 |
| ·CMP 设备 | 第21-22页 |
| ·CMP 机理分析 | 第22-24页 |
| ·CMP 工艺目前所存在的问题 | 第24-27页 |
| ·不平坦性的产生 | 第24-25页 |
| ·铜 CMP 工艺的步骤 | 第25-26页 |
| ·Dishing 和 Erosion 对互连线电阻影响 | 第26-27页 |
| ·Dishing 和 Erosion 对互连线电容的影响 | 第27页 |
| ·CMP 技术在多层互连中改进 | 第27-29页 |
| ·CMP 模型和模拟软件 | 第29-30页 |
| ·CMP 模拟软件进展 | 第29页 |
| ·PrimeYieldCMP 软件简介 | 第29-30页 |
| 第三章. 基于图形的平坦化设计 | 第30-45页 |
| ·金属图形对表面形状的影响 | 第30-31页 |
| ·影响表面形貌平整度的因素 | 第31-32页 |
| ·金属密度，线宽，线间距对表面形状的研究 | 第32-39页 |
| ·相同线宽与密度影响 | 第33-36页 |
| ·交错线宽和密度的影响 | 第36-38页 |
| ·叠层效应 | 第38-39页 |
| ·冗余填充对表面平坦性的优化 | 第39-45页 |
| ·金属填充 | 第40-42页 |
| ·冗余金属改善平坦性 | 第40页 |
| ·有效影响区域 | 第40-41页 |
| ·特殊图形冗余金属对集成电路平整度的优化 | 第41-42页 |
| ·电介质填充 | 第42-43页 |
| ·电介质冗余填充原理 | 第42-43页 |
| ·平坦性优化设计总结 | 第43-45页 |
| 第四章. 冗余金属填充对电特性的影响 | 第45-59页 |
| ·浮空填充和接地填充 | 第45-48页 |
| ·冗余金属改善电压降 | 第48-50页 |
| ·普通图形冗余金属的电特性研究 | 第50-56页 |
| ·互连线和金属冗余的距离 | 第50-51页 |
| ·普通图形冗余金属宽长比 | 第51页 |
| ·普通图形冗余金属数目 | 第51-52页 |
| ·互连线宽度 | 第52页 |
| ·冗余金属填充方式 | 第52-53页 |
| ·方块状和长方形冗余金属填充方式 | 第53-54页 |
| ·冗余金属填充中行数和列数 | 第54-55页 |
| ·冗余金属填充中摆放方式 | 第55-56页 |
| ·特殊图形冗余金属的耦合电容特性 | 第56-57页 |
| ·冗余填充规则总结 | 第57-59页 |
| 第五章. 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第64-65页 |