功率裸芯片的老炼筛选技术研究
摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-10页 |
第一章 绪论 | 第10-15页 |
·课题研究背景与意义 | 第10-12页 |
·国外KGD 的发展历程 | 第12-13页 |
·国内KGD 的发展现状 | 第13-14页 |
·课题来源、研究内容和章节安排 | 第14页 |
·本章小结 | 第14-15页 |
第二章 功率裸芯片可靠性筛选方法与结温控制技术 | 第15-34页 |
·前言 | 第15-16页 |
·裸芯片的临时封装技术与临时封装夹具介绍 | 第16-18页 |
·功率裸芯片的可靠性筛选项目的拟定 | 第18-23页 |
·半导体器件的失效机理与可靠性筛选试验 | 第18-19页 |
·功率裸芯片的失效机理与可靠性筛选项目 | 第19-23页 |
·功率裸芯片的结温测量技术 | 第23-33页 |
·热阻法 | 第23-27页 |
·热敏参数法 | 第27-32页 |
·红外法 | 第32页 |
·各种结温测量方法的比较 | 第32-33页 |
·本章小结 | 第33-34页 |
第三章 功率裸芯片的功率老炼筛选技术 | 第34-60页 |
·现行的功率老炼方法存在的问题 | 第34页 |
·连续脉冲功率老炼的可行性分析 | 第34-38页 |
·施加超额脉冲功率的可行性分析 | 第35-36页 |
·结温控制的可行性分析 | 第36-38页 |
·连续脉冲功率老炼的实验方案设计 | 第38-44页 |
·热敏参数温度特性的测量方法 | 第38-39页 |
·结温测量与控制电路 | 第39-40页 |
·热敏参数法测量结果的红外验证方法 | 第40页 |
·连续脉冲功率老炼对结温产生影响的因素 | 第40页 |
·功率老炼后的电参数测量 | 第40-42页 |
·串行脉冲功率老炼方法 | 第42-44页 |
·实验方案的结果分析 | 第44-58页 |
·热敏参数V_(sd)的温度特性的测量 | 第44-45页 |
·热敏参数法测量结果的红外验证 | 第45-47页 |
·连续脉冲功率老炼方法对结温产生影响的几个因素 | 第47-51页 |
·裸芯片漏极电阻R_d 测量方法的验证 | 第51-53页 |
·功率裸芯片串行脉冲功率老炼方法的验证 | 第53-58页 |
·功率裸芯片的串行脉冲功率老炼方法流程 | 第58-59页 |
·本章小结 | 第59-60页 |
第四章 功率裸芯片测试与筛选流程的实现和验证 | 第60-73页 |
·功率裸芯片的测试与筛选流程的拟定 | 第60-61页 |
·功率裸芯片测试与筛选流程的问题解决 | 第61-66页 |
·金属盒子的气密性验证 | 第61-62页 |
·老炼板和驱动板设计 | 第62-66页 |
·功率裸芯片的测试与筛选流程的试验结果分析 | 第66-72页 |
·试验仪器与样品 | 第66页 |
·高温烘焙与温度循环试验前的准备 | 第66页 |
·高温烘焙与温度循环试验 | 第66页 |
·裸芯片装配和电参数测量 | 第66-68页 |
·高温栅偏压试验 | 第68-69页 |
·串行脉冲功率老炼试验 | 第69-70页 |
·试验结果 | 第70-72页 |
·试验结果分析 | 第72页 |
·本章小结 | 第72-73页 |
结论 | 第73-74页 |
参考文献 | 第74-78页 |
攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第78-79页 |
致谢 | 第79页 |