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功率裸芯片的老炼筛选技术研究

摘要第1-7页
Abstract第7-10页
第一章 绪论第10-15页
   ·课题研究背景与意义第10-12页
   ·国外KGD 的发展历程第12-13页
   ·国内KGD 的发展现状第13-14页
   ·课题来源、研究内容和章节安排第14页
   ·本章小结第14-15页
第二章 功率裸芯片可靠性筛选方法与结温控制技术第15-34页
   ·前言第15-16页
   ·裸芯片的临时封装技术与临时封装夹具介绍第16-18页
   ·功率裸芯片的可靠性筛选项目的拟定第18-23页
     ·半导体器件的失效机理与可靠性筛选试验第18-19页
     ·功率裸芯片的失效机理与可靠性筛选项目第19-23页
   ·功率裸芯片的结温测量技术第23-33页
     ·热阻法第23-27页
     ·热敏参数法第27-32页
     ·红外法第32页
     ·各种结温测量方法的比较第32-33页
   ·本章小结第33-34页
第三章 功率裸芯片的功率老炼筛选技术第34-60页
   ·现行的功率老炼方法存在的问题第34页
   ·连续脉冲功率老炼的可行性分析第34-38页
     ·施加超额脉冲功率的可行性分析第35-36页
     ·结温控制的可行性分析第36-38页
   ·连续脉冲功率老炼的实验方案设计第38-44页
     ·热敏参数温度特性的测量方法第38-39页
     ·结温测量与控制电路第39-40页
     ·热敏参数法测量结果的红外验证方法第40页
     ·连续脉冲功率老炼对结温产生影响的因素第40页
     ·功率老炼后的电参数测量第40-42页
     ·串行脉冲功率老炼方法第42-44页
   ·实验方案的结果分析第44-58页
     ·热敏参数V_(sd)的温度特性的测量第44-45页
     ·热敏参数法测量结果的红外验证第45-47页
     ·连续脉冲功率老炼方法对结温产生影响的几个因素第47-51页
     ·裸芯片漏极电阻R_d 测量方法的验证第51-53页
     ·功率裸芯片串行脉冲功率老炼方法的验证第53-58页
   ·功率裸芯片的串行脉冲功率老炼方法流程第58-59页
   ·本章小结第59-60页
第四章 功率裸芯片测试与筛选流程的实现和验证第60-73页
   ·功率裸芯片的测试与筛选流程的拟定第60-61页
   ·功率裸芯片测试与筛选流程的问题解决第61-66页
     ·金属盒子的气密性验证第61-62页
     ·老炼板和驱动板设计第62-66页
   ·功率裸芯片的测试与筛选流程的试验结果分析第66-72页
     ·试验仪器与样品第66页
     ·高温烘焙与温度循环试验前的准备第66页
     ·高温烘焙与温度循环试验第66页
     ·裸芯片装配和电参数测量第66-68页
     ·高温栅偏压试验第68-69页
     ·串行脉冲功率老炼试验第69-70页
     ·试验结果第70-72页
     ·试验结果分析第72页
   ·本章小结第72-73页
结论第73-74页
参考文献第74-78页
攻读硕士学位期间取得的研究成果第78-79页
致谢第79页

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