| 缩略语 | 第12-14页 |
| 摘要 | 第14-16页 |
| Abstract | 第16-17页 |
| 第一章 绪论 | 第18-42页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第18-26页 |
| 1.1.1 软错误成为航天应用集成电路失效的主要因素 | 第18-19页 |
| 1.1.2 模拟评估电路软错误成为抗辐射集成电路设计的必要环节 | 第19-21页 |
| 1.1.3 尺寸缩减使得集成电路软错误评估面临新的挑战 | 第21-26页 |
| 1.2 集成电路软错误评估的研究现状及不足 | 第26-38页 |
| 1.2.1 SPICE电路级软错误评估的研究现状及不足 | 第26-29页 |
| 1.2.2 TCAD器件级软错误评估的研究现状及不足 | 第29-32页 |
| 1.2.3 蒙卡多层次软错误评估的研究现状及不足 | 第32-38页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第38-40页 |
| 1.4 本文的组织结构 | 第40-42页 |
| 第二章 考虑寄生双极放大效应的解析模型 | 第42-62页 |
| 2.1 引言及相关研究 | 第42-43页 |
| 2.2 PABAM：电路级寄生双极放大效应模型 | 第43-47页 |
| 2.2.1 计算阱电势调制 | 第43-45页 |
| 2.2.2 计算电荷收集电流 | 第45-46页 |
| 2.2.3 计算瞬态电流 | 第46-47页 |
| 2.2.4 模型的优势 | 第47页 |
| 2.3 TCAD模拟验证模型的有效性 | 第47-53页 |
| 2.3.1 TCAD模拟设置 | 第47-48页 |
| 2.3.2 TCAD模拟结果与PABAM模型计算结果对比及分析 | 第48-53页 |
| 2.4 评估SRAM电路单粒子翻转 | 第53-60页 |
| 2.4.1 测试芯片设计及重离子实验设置 | 第53-55页 |
| 2.4.2 蒙卡多层次软错误评估方法及参数设置 | 第55-57页 |
| 2.4.3 模拟结果与实验结果对比及分析 | 第57-60页 |
| 2.5 小结 | 第60-62页 |
| 第三章 考虑工艺起伏的解析模型 | 第62-78页 |
| 3.1 引言及相关研究 | 第62-63页 |
| 3.2 电路级工艺参数模型 | 第63-67页 |
| 3.2.1 确定工艺参数模型中的对应关系 | 第64-65页 |
| 3.2.2 利用工艺参数关系计算瞬态电流 | 第65-66页 |
| 3.2.3 模型的优势 | 第66-67页 |
| 3.3 TCAD模拟验证工艺参数模型的有效性 | 第67-69页 |
| 3.3.1 TCAD模拟及电路级模拟设置 | 第67-68页 |
| 3.3.2 TCAD模拟结果与电路级模拟结果比较 | 第68-69页 |
| 3.4 评估集成电路单粒子翻转及单粒子瞬态变化 | 第69-76页 |
| 3.4.1 测试芯片及实验设置 | 第69-73页 |
| 3.4.2 评估时序电路单元单粒子翻转变化情况 | 第73-75页 |
| 3.4.3 评估组合电路单元单粒子瞬态变化情况 | 第75-76页 |
| 3.5 小结 | 第76-78页 |
| 第四章 考虑总剂量效应的解析模型 | 第78-92页 |
| 4.1 引言及相关研究 | 第78-79页 |
| 4.2 CLADM：电路级晶体管退化模型 | 第79-84页 |
| 4.2.1 嵌套敏感体计算捕获电荷 | 第79-82页 |
| 4.2.2 独立电流源模拟总剂量引起的泄露电流 | 第82-83页 |
| 4.2.3 模型的优势 | 第83-84页 |
| 4.3 评估总剂量引起的晶体管性能退化 | 第84-85页 |
| 4.3.1 实验设置 | 第84页 |
| 4.3.2 模拟结果与总剂量实验结果对比 | 第84-85页 |
| 4.4 评估总剂量引起的SRAM电路单粒子翻转变化 | 第85-90页 |
| 4.4.1 评估地面辐照环境下SRAM电路单粒子翻转的变化趋势 | 第86-88页 |
| 4.4.2 评估太空辐照环境下SRAM电路单粒子翻转的变化趋势 | 第88-90页 |
| 4.5 小结 | 第90-92页 |
| 第五章 考虑频率相关性的解析模型 | 第92-108页 |
| 5.1 引言及相关研究 | 第92页 |
| 5.2 频率变化对集成电路软错误的影响 | 第92-96页 |
| 5.2.1 频率变化对集成电路软错误的影响机理 | 第92-94页 |
| 5.2.2 频率变化对软错误评估方法的影响 | 第94-96页 |
| 5.3 电路级电荷-脉冲宽度模型 | 第96-102页 |
| 5.3.1 电荷收集量与脉冲宽度对应关系 | 第96-100页 |
| 5.3.2 脉冲宽度注入及电路响应模拟 | 第100-101页 |
| 5.3.3 模型的优势 | 第101-102页 |
| 5.4 评估频率变化对触发器电路单粒子翻转的影响 | 第102-106页 |
| 5.4.1 测试芯片设计及重离子实验设置 | 第102-104页 |
| 5.4.2 蒙卡多层次软错误评估设置 | 第104-105页 |
| 5.4.3 重离子实验结果与模拟结果对比 | 第105-106页 |
| 5.5 小结 | 第106-108页 |
| 第六章 入射离子敏感面积模型及软错误评估方法 | 第108-118页 |
| 6.1 引言 | 第108页 |
| 6.2 入射离子敏感面积模型 | 第108-113页 |
| 6.2.1 TAISAM测量电路构建入射离子敏感面积模型 | 第108-110页 |
| 6.2.2 快速软错误评估方法 | 第110-112页 |
| 6.2.3 模型及评估方法的优势 | 第112-113页 |
| 6.3 评估存储电路单粒子翻转效应 | 第113-116页 |
| 6.3.1 实验及模拟设置 | 第113页 |
| 6.3.2 实验与模拟结果对比 | 第113-116页 |
| 6.4 小结 | 第116-118页 |
| 第七章 总结与展望 | 第118-122页 |
| 7.1 本文的主要工作 | 第118-119页 |
| 7.2 下一步的研究工作 | 第119-122页 |
| 致谢 | 第122-124页 |
| 参考文献 | 第124-138页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第138-139页 |
