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980nm半导体锁模激光器及808nm半导体激光器阵列的研究

摘要第3-4页
Abstract第4页
第1章 引言第8-12页
    1.1 半导体激光器的发展及其研究背景第8-10页
    1.2 论文的研究内容和主要创新点第10-11页
    1.3 本章小结第11-12页
第2章 半导体激光器的基本原理及理论参数第12-20页
    2.1 粒子数反转和光增益第12-13页
    2.2 阈值条件和增益分布第13-14页
    2.3 激光谐振腔第14-15页
    2.4 半导体激光器的主要参数第15-18页
        2.4.1 半导体激光器的量子效率第15-17页
        2.4.2 半导体激光器的阈值电流和温度特性第17-18页
    2.5 本章小结第18-20页
第3章 980nm 半导体锁模激光器第20-36页
    3.1 半导体锁模激光器的研究状况第20-21页
    3.2 半导体锁模激光器的锁模机制及其原理第21-22页
        3.2.1 激光器的锁模原理第21页
        3.2.2 半导体锁模激光器的原理分析第21-22页
    3.3 半导体锁模激光器的制备工艺第22-35页
        3.3.1 半导体锁模激光器的工艺步骤及需要注意的问题第23-26页
        3.3.2 半导体锁模激光器的制备第26-28页
        3.3.3 锁模激光器的测试第28页
        3.3.4 实验结果与分析第28-35页
    3.4 小结第35-36页
第4章 布拉格反射波导双光束边发射半导体激光器第36-46页
    4.1 双光束的产生第36-37页
    4.2 器件结构设计第37-39页
    4.3 器件制备与测试第39-44页
        4.3.1 拟合内量子效率和内损耗第40-41页
        4.3.2 器件镀膜测试第41-42页
        4.3.3 变温测试第42-44页
    4.4 结论第44-46页
第5章 808nm 无铝量子阱半导体激光器阵列的研究第46-56页
    5.1 808nm 无铝量子阱结构外延片的制备第46页
    5.2 激光器窗口非注入区结构的改进第46-50页
    5.3 808nm 阵列激光器腔面膜第50-52页
        5.3.1 半导体激光器最佳工作条件的腔面膜第50-51页
        5.3.2 激光器腔面膜的实验第51-52页
    5.4 808nm 半导体阵列激光器 CS 封装的优化第52-54页
    5.5 本章小结第54-56页
第6章 总结第56-58页
参考文献第58-62页
致谢第62-64页
个人简历、在学期间发表的学术论文及研究成果第64页
    1、个人简历第64页
    2、在学期间发表的学术论文及研究成果第64页

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