基于RHBD技术的大容量抗辐照PROM的设计实现
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-22页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第16-18页 |
| 1.1.1 抗辐照电路研究意义 | 第16-17页 |
| 1.1.2 PROM技术发展现状 | 第17页 |
| 1.1.3 抗辐照电路研究现状 | 第17-18页 |
| 1.2 论文的工作 | 第18-19页 |
| 1.3 论文的组织结构 | 第19-22页 |
| 第二章 大容量PROM的设计和抗辐照加固规划 | 第22-38页 |
| 2.1 大容量PROM架构分析和设计 | 第22-27页 |
| 2.1.1 大容量PROM架构分析 | 第22-25页 |
| 2.1.2 大容量PROM架构设计 | 第25-27页 |
| 2.2 抗辐照PROM的电路设计 | 第27-33页 |
| 2.2.1 数字电路模块设计 | 第27-32页 |
| 2.2.2 模拟电路模块设计 | 第32-33页 |
| 2.3 芯片抗辐照加固设计规划 | 第33-36页 |
| 2.3.1 抗辐照电路设计流程 | 第33-34页 |
| 2.3.2 电路抗辐照加固设计规划设计 | 第34-36页 |
| 2.4 本章小结 | 第36-38页 |
| 第三章 辐照机理和辐照效应的建模仿真研究 | 第38-52页 |
| 3.1 辐照效应机理研究 | 第38-41页 |
| 3.1.1 单粒子翻转效应研究 | 第38-39页 |
| 3.1.2 单粒子闩锁效应研究 | 第39-40页 |
| 3.1.3 总剂量效应研究 | 第40-41页 |
| 3.2 电路抗辐照建模研究 | 第41-47页 |
| 3.2.1 重离子入射模型研究 | 第42-43页 |
| 3.2.2 单粒子效应TCAD建模研究 | 第43-46页 |
| 3.2.3 单粒子效应瞬态电流脉冲模型 | 第46-47页 |
| 3.3 单粒子效应模拟仿真研究 | 第47-50页 |
| 3.3.1 宽长比对瞬态电流脉冲的影响 | 第47页 |
| 3.3.2 LET值对瞬态电流脉冲的影响 | 第47-49页 |
| 3.3.3 入射位置对瞬态电流脉冲的影响 | 第49-50页 |
| 3.3.4 入射角度对瞬态电流脉冲的影响 | 第50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 抗辐照加固设计研究和仿真分析 | 第52-70页 |
| 4.1 抗辐照电路加固机理研究 | 第52-53页 |
| 4.1.1 抗单粒子翻转加固方法研究 | 第52页 |
| 4.1.2 抗单粒子闩锁加固方法研究 | 第52-53页 |
| 4.1.3 抗总剂量加固方法研究 | 第53页 |
| 4.2 抗辐照电路级加固技术研究 | 第53-58页 |
| 4.2.1 空间冗余加固技术 | 第53-55页 |
| 4.2.2 时间冗余加固技术 | 第55页 |
| 4.2.3 C单元保护门加固技术 | 第55-56页 |
| 4.2.4 DICE双联锁存加固技术 | 第56-58页 |
| 4.3 电路抗辐照加固设计和仿真分析 | 第58-69页 |
| 4.3.1 芯片抗辐照工艺级加固方法研究 | 第58-59页 |
| 4.3.2 芯片抗辐照电路级加固方法研究 | 第59-67页 |
| 4.3.3 抗辐照系统级加固设计研究 | 第67-69页 |
| 4.4 本章小结 | 第69-70页 |
| 第五章 芯片系统级验证和辐照实验 | 第70-82页 |
| 5.1 芯片整体仿真验证 | 第70-78页 |
| 5.1.1 芯片前仿真验证 | 第71-76页 |
| 5.1.2 芯片后仿真验证 | 第76-78页 |
| 5.2 芯片辐照实验验证 | 第78-79页 |
| 5.2.1 单粒子翻转实验 | 第78-79页 |
| 5.2.2 单粒子闩锁实验 | 第79页 |
| 5.2.3 总剂量实验 | 第79页 |
| 5.3 本章小结 | 第79-82页 |
| 第六章 总结与展望 | 第82-84页 |
| 6.1 研究总结 | 第82页 |
| 6.2 研究展望 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-88页 |
| 致谢 | 第88-90页 |
| 附录 | 第90-92页 |
