| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-23页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第17-18页 |
| 1.2 国内外发展现状 | 第18-20页 |
| 1.3 论文结构安排 | 第20-23页 |
| 第二章 压控振荡器 | 第23-35页 |
| 2.1 振荡器基本结构 | 第23-24页 |
| 2.2 振荡器工作原理 | 第24-29页 |
| 2.3 压控振荡器基本概念与性能参数 | 第29-31页 |
| 2.4 相位噪声分析 | 第31-34页 |
| 2.4.1 相位噪声模型 | 第31-33页 |
| 2.4.2 降低相位噪声的方法 | 第33-34页 |
| 2.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 基于Ga As HBT工艺的交叉耦合VCO的设计 | 第35-45页 |
| 3.1 Ga As HBT工艺 | 第35-36页 |
| 3.2 电路拓扑结构的选择 | 第36页 |
| 3.3 电路结构分析以及元器件的选取 | 第36-39页 |
| 3.3.1 差分交叉耦合VCO特点 | 第36页 |
| 3.3.2 原理图分析与元器件的选取 | 第36-39页 |
| 3.4 原理图仿真 | 第39-43页 |
| 3.4.1 瞬态仿真 | 第39-40页 |
| 3.4.2 谐波仿真 | 第40-41页 |
| 3.4.3 频率调谐特性仿真 | 第41-43页 |
| 3.5 VCO的版图设计 | 第43-44页 |
| 3.6 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 基于Ga As HBT工艺的推推式结构VCO的设计 | 第45-59页 |
| 4.1 推推式压控振荡器原理 | 第45-46页 |
| 4.2 推推式压控振荡器结构 | 第46-50页 |
| 4.3 原理图仿真与版图设计 | 第50-53页 |
| 4.3.1 原理图仿真 | 第50-53页 |
| 4.3.2 版图设计 | 第53页 |
| 4.4 原理图和电磁场联合仿真 | 第53-57页 |
| 4.4.1 原理图和电磁场联合仿真方法 | 第53-54页 |
| 4.4.2 仿真结果与分析 | 第54-57页 |
| 4.5 本章小结 | 第57-59页 |
| 第五章 结束语 | 第59-61页 |
| 5.1 工作总结 | 第59-60页 |
| 5.2 工作展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 作者简介 | 第67-68页 |