| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-21页 |
| 1.1 InP HBT器件及电路的发展 | 第15-16页 |
| 1.2 InP HBT器件及电路热学研究的必要性 | 第16-17页 |
| 1.3 器件及电路热分析现状 | 第17-18页 |
| 1.4 本文的主要工作 | 第18-21页 |
| 第二章 热物理基础理论与其数值模拟方法 | 第21-33页 |
| 2.1 热传导的微分方程及边界条件 | 第21-24页 |
| 2.1.1 热传导的微分方程 | 第21-23页 |
| 2.1.2 热传导的边界条件 | 第23-24页 |
| 2.2 基于有限元方法的温度场数值模拟理论及主要流程 | 第24-28页 |
| 2.2.1 有限元方法 | 第24-26页 |
| 2.2.2 ANSYS的组成 | 第26-27页 |
| 2.2.3 有限元分析软件-ANSYS主要流程 | 第27-28页 |
| 2.3 基于ISE的热力学模型介绍 | 第28-31页 |
| 2.3.1 热力学模型 | 第28-29页 |
| 2.3.2 热导率模型 | 第29-30页 |
| 2.3.3 晶格温度的边界条件 | 第30-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-33页 |
| 第三章 InP HBT器件自热效应仿真 | 第33-53页 |
| 3.1 InP HBT器件的基本原理 | 第33-36页 |
| 3.1.1 InGa As/InP HBT的器件结构 | 第33-34页 |
| 3.1.2 InP HBT基本原理 | 第34-36页 |
| 3.2 InP HBT二维自热模型仿真 | 第36-38页 |
| 3.3 InP HBT 3D有限元热模型仿真 | 第38-43页 |
| 3.4 InP HBT器件热阻分析 | 第43-45页 |
| 3.5 影响InP HBT器件结温的关键因素 | 第45-51页 |
| 3.5.1 衬底选择对器件结温及热阻的影响 | 第45-47页 |
| 3.5.2 发射极条长度对器件结温及热阻的影响 | 第47-48页 |
| 3.5.3 衬底厚度对器件结温及热阻的影响 | 第48-49页 |
| 3.5.4 亚集电极InGaAs厚度对器件结温及热阻的影响 | 第49-51页 |
| 3.6 降低器件结温和热阻的有效措施 | 第51页 |
| 3.7 本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 In P HBT动态分频器芯片温度研究 | 第53-57页 |
| 4.1 动态分频器版图的热分析方法 | 第53-54页 |
| 4.2 动态分频器芯片建模及仿真 | 第54-56页 |
| 4.3 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 结束语 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 作者简介 | 第65-66页 |
