| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-25页 |
| ·发光二极管 | 第9-14页 |
| ·发光二极管的意义 | 第9-11页 |
| ·发光二极管的工作原理 | 第11-12页 |
| ·发光二极管的发展历史 | 第12-13页 |
| ·LED芯片技术 | 第13-14页 |
| ·GaN结构与性质 | 第14-15页 |
| ·In_2O_3：Sn透明导电膜 | 第15-16页 |
| ·ZnO基透明导电膜 | 第16-22页 |
| ·ZnO的基本结构 | 第16-18页 |
| ·ZnO的光电性质 | 第18页 |
| ·ZnO的本征点缺陷与非故意掺杂 | 第18-19页 |
| ·ZnO基透明导电膜的基本性质 | 第19页 |
| ·ZnO基透明导电薄膜的研究进展 | 第19-22页 |
| ·本文的立题思路 | 第22-25页 |
| 第二章 实验原理、过程及性能评价手段 | 第25-35页 |
| ·PLD技术 | 第25-28页 |
| ·PLD原理 | 第25-26页 |
| ·PLD实验原料及实验过程 | 第26-28页 |
| ·磁控溅射技术 | 第28-33页 |
| ·磁控溅射原理 | 第28-31页 |
| ·磁控溅射实验原料及实验过程 | 第31-33页 |
| ·衬底的清洗 | 第33页 |
| ·性能评价手段 | 第33-35页 |
| 第三章 PLD法制备AZO薄膜性能研究 | 第35-41页 |
| ·衬底温度对AZO薄膜电学性能的影响 | 第35-36页 |
| ·氧压对AZO薄膜性能的影响 | 第36-39页 |
| ·氧压对AZO薄膜光电性能的影响 | 第36-38页 |
| ·不同氧压下制备AZO薄膜的XRD分析 | 第38-39页 |
| ·退火对AZO薄膜性能的影响 | 第39-40页 |
| ·退火对薄膜光电性的影响 | 第39-40页 |
| ·AZO薄膜成分分析 | 第40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 AZO薄膜用于GaN基LED透明电极性能研究 | 第41-47页 |
| ·以AZO薄膜为透明电极的GaN基LED芯片性能研究 | 第41-42页 |
| ·AZO/GaN结构性能研究 | 第42-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 磁控溅射法制备AZO薄膜及芯片制备工艺的选择 | 第47-55页 |
| ·磁控溅射法制备AZO薄膜性能表征 | 第47-49页 |
| ·AZO/ITO接触性能研究 | 第49页 |
| ·工艺方案的选择 | 第49-53页 |
| ·本章总结 | 第53-55页 |
| 第六章 AZO/ITO复合膜用于LED透明电极性能研究 | 第55-67页 |
| ·不同ITO厚度的AZO/ITO复合膜用于LED透明电极研究 | 第55-58页 |
| ·不同AZO厚度的AZO/ITO复合膜用于LED透明电极研究 | 第58-63页 |
| ·AZO/ITO复合膜与标准ITO对比 | 第63-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第七章 结论 | 第67-69页 |
| ·全文总结 | 第67-68页 |
| ·论文创新点 | 第68页 |
| ·展望 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 致谢 | 第75-77页 |
| 个人简历 | 第77-79页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第79页 |
