| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 前沿 | 第9-13页 |
| 第二章 文献综述 | 第13-29页 |
| ·ZnO的基本性质 | 第13-16页 |
| ·ZnO能带结构 | 第16-18页 |
| ·ZnO的电学性能 | 第18-20页 |
| ·ZnO的缺陷 | 第20-22页 |
| ·ZnO材料的本征缺陷 | 第20-21页 |
| ·ZnO材料的非故意掺杂 | 第21-22页 |
| ·ZnO的结构形态 | 第22-24页 |
| ·ZnO薄膜 | 第22-23页 |
| ·ZnO体单晶 | 第23页 |
| ·ZnO纳米结构 | 第23-24页 |
| ·ZnO的应用 | 第24-25页 |
| ·ZnO的电极 | 第25-27页 |
| ·ZnO肖特基接触 | 第25-26页 |
| ·ZnO欧姆接触 | 第26-27页 |
| ·立题依据 | 第27-29页 |
| 第三章 实验原理、实验设备、生长工艺及性能表征 | 第29-41页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第29-34页 |
| ·实验设备 | 第29-30页 |
| ·生长原理 | 第30-32页 |
| ·实验原料以及生长工艺 | 第32-34页 |
| ·靶材制备 | 第32-33页 |
| ·薄膜制备过程 | 第33-34页 |
| ·MOCVD | 第34-40页 |
| ·MOCVD原理 | 第34-37页 |
| ·实验设备 | 第37-39页 |
| ·实验原料以及生长工艺 | 第39-40页 |
| ·实验原料 | 第39页 |
| ·ZnO薄膜生长 | 第39-40页 |
| ·衬底以及清洗方法 | 第40页 |
| ·性能测试 | 第40-41页 |
| 第四章 Al掺杂ZnO低接触电阻电极制备 | 第41-67页 |
| ·金属及半导体接触类型 | 第41-43页 |
| ·光刻法制备电极工艺 | 第43-45页 |
| ·欧姆接触电阻率测量的原理及方法 | 第45-66页 |
| ·Ti/Ni/Ti/Au与n型Al掺杂ZnO的欧姆接触研究 | 第47-59页 |
| ·实验过程与参数 | 第47-48页 |
| ·电极结构参数 | 第48-50页 |
| ·实验结果与讨论 | 第50-59页 |
| ·Al/Ni/Al/Au与n型Al掺杂ZnO的欧姆接触研究 | 第59-66页 |
| ·实验过程与参数 | 第59-60页 |
| ·电极结构参数 | 第60-61页 |
| ·实验结果与讨论 | 第61-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 非掺杂ZnO薄膜肖特基电极及DLTS测量 | 第67-75页 |
| ·掩模法制备电极工艺 | 第67-68页 |
| ·Ni/Au肖特基接触电极制备 | 第68-71页 |
| ·实验过程与参数 | 第68-69页 |
| ·实验结果与讨论 | 第69-71页 |
| ·DLTS测量 | 第71-74页 |
| ·DLTS原理 | 第72-73页 |
| ·样品的制备 | 第73-74页 |
| ·本章小结 | 第74-75页 |
| 第六章 结论 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-85页 |
| 致谢 | 第85-87页 |
| 个人简历 | 第87-89页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第89页 |