| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-12页 |
| 第一章 引言 | 第12-16页 |
| ·功率半导体器件概述 | 第12-13页 |
| ·国际功率半导体分立器件市场需求情况以及工艺能力 | 第13-14页 |
| ·国内功率半导体分立器件市场需求及生产情况 | 第14页 |
| ·课题的提出 | 第14-16页 |
| 第二章 COOLMOS 介绍 | 第16-33页 |
| ·功率MOSFET | 第16-17页 |
| ·COOLMOS 理论的提出及其基本原理 | 第17-18页 |
| ·COOLMOS 理论介绍 | 第18-21页 |
| ·COOLMOS 在应用中的缺点与改善 | 第21页 |
| ·COOLMOS 工艺流程 | 第21-26页 |
| ·目前CoolMOS 工艺流程 | 第21-23页 |
| ·制作复合缓冲层光刻对准问题的研究 | 第23-26页 |
| ·TRENCH COOLMOS 工艺流程 | 第26-29页 |
| ·终端结设计 | 第29-31页 |
| ·FP 技术 | 第29-30页 |
| ·FLR 技术 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-33页 |
| 第三章 工艺仿真 | 第33-49页 |
| ·TRENCH COOLMOS 器件CELL 结构仿真 | 第33-34页 |
| ·不同沟槽深度的仿真结果 | 第34-40页 |
| ·终端结与单元结构间不同距离的仿真结果 | 第40-45页 |
| ·不同终端结宽度的仿真结果 | 第45-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 工艺实现 | 第49-68页 |
| ·深沟槽刻蚀工艺 | 第49-56页 |
| ·刻蚀工艺介绍 | 第49-51页 |
| ·反应离子刻蚀 | 第51-53页 |
| ·反应离子刻蚀进行深沟槽刻蚀的实验 | 第53-56页 |
| ·杂质扩散 | 第56-58页 |
| ·介质填充 | 第58-64页 |
| ·多晶填充 | 第58-64页 |
| ·氧化硅填充 | 第64页 |
| ·实验结果与分析 | 第64-66页 |
| ·本章小结 | 第66-68页 |
| 第五章 总结与展望 | 第68-70页 |
| ·本文总结 | 第68页 |
| ·后续工作 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第73-74页 |
| 附件 | 第74-76页 |