金属刻蚀后清洗导致AlSiCu互连线空洞问题的研究和解决

摘要	第1-5页
ABSTRACT	第5-11页
第一章 引言	第11-22页
·半导体器件概述	第11-13页
·金属氧化物半导体电路介绍	第11-12页
·双极型电路介绍	第12-13页
·半导体金属互连线的介绍	第13-16页
·铜互连线的介绍	第13-15页
·铝硅铜互连线的介绍	第15页
·铝硅铜互连线的可靠性	第15-16页
·铝硅铜互连线的工艺介绍	第16-20页
·铝硅铜互连线工艺流程的介绍	第16-17页
·铝硅铜互连线刻蚀工艺的介绍	第17-20页
·课题的提出	第20-22页
第二章 金属后清洗方法的介绍和对比	第22-30页
·金属后清洗方法的介绍	第22-23页
·金属后清洗方法存在的问题	第23-24页
·金属后清洗方法的改进	第24-28页
·新旧清洗方法的对比	第24-26页
·新清洗方法产生的问题分析	第26-28页
·本章小结	第28-30页
第三章 金属后清洗问题的分析和解决	第30-45页
·金属后清洗问题产生的原因研究	第30-35页
·铝硅铜合金结构的分析	第30-32页
·腐蚀机理的分析	第32-35页
·金属后清洗问题的解决	第35-43页
·提高金属互连线的质量	第35-38页
·改善金属表面的状况	第38-41页
·从清洗工艺上来提高	第41-43页
·本章小结	第43-45页
第四章 金属后清洗问题的优化	第45-49页
·对实际作业情况的优化	第45-46页
·多批次作业的优化	第46-47页
·本章小结	第47-49页
第五章 结束语	第49-51页
参考文献	第51-53页
致谢	第53-54页
攻读硕士学位期间已发表或录用的论文	第54-55页
上海交通大学学位论文答辩决议书	第55-57页