| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-27页 |
| ·引言 | 第13页 |
| ·GaN 基材料的基本性质 | 第13-18页 |
| ·结构性质 | 第14-17页 |
| ·化学性质及热稳定性 | 第17-18页 |
| ·非极性（11-20）面 GaN 的研究意义 | 第18-20页 |
| ·生长在 r-Al2O3非极性(11-20)面 GaN 的特殊性质 | 第20-23页 |
| ·结构性质 | 第21页 |
| ·光学性质 | 第21-22页 |
| ·非极性 GaN(11-20)的研究进展 | 第22-23页 |
| ·非极性 AlGaN 探测器的研究 | 第23-27页 |
| ·研究意义 | 第23-24页 |
| ·GaN 基紫外探测器的研究进展 | 第24-25页 |
| ·探测器的表征参数 | 第25-27页 |
| 第二章 MOCVD 生长方法简介与表征方法 | 第27-61页 |
| ·引言 | 第27-28页 |
| ·MOCVD 生长方法简介 | 第28-39页 |
| ·MOCVD 的基本过程 | 第28-29页 |
| ·薄膜的生长模式 | 第29-31页 |
| ·a-GaN 薄膜中缺陷的性质和减少缺陷的方法 | 第31-32页 |
| ·MOCVD 系统 | 第32-36页 |
| ·衬底的选择 | 第36-39页 |
| ·材料表征手段 | 第39-51页 |
| ·高分辨 X 射线衍射（HR-XRD） | 第39-41页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第41-42页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第42-43页 |
| ·光致发光（PL） | 第43-44页 |
| ·拉曼散射（Raman Scatter） | 第44-47页 |
| ·探测器性能测试 | 第47-51页 |
| 第三章 Al 化衬底对 AlN 性质及应变的影响 | 第51页 |
| ·引言 | 第51页 |
| ·Al 化 AlN 薄膜的 MOCVD 生长过程 | 第51-52页 |
| ·AlN 薄膜的表征结果及分析 | 第52-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 第四章 初始化生长条件对 a-GaN 应变的影响 | 第61-71页 |
| ·引言 | 第61-62页 |
| ·实验过程 | 第62页 |
| ·试验结果与分析 | 第62-69页 |
| ·结论 | 第69-71页 |
| 第五章 AlN 插入层对非极性 a-AlGaN 性质的影响 | 第71-79页 |
| ·引言 | 第71页 |
| ·r 面蓝宝石衬底上非极性 a 面 AlGaN 生长 | 第71-72页 |
| ·试验数据分析 | 第72-77页 |
| ·结论 | 第77-79页 |
| 第六章 SiO2纳米颗粒对 MSM 型 a-AlGaN 深紫外探测器的影响 | 第79-93页 |
| ·引言 | 第79-81页 |
| ·MSM 型紫外探测器的设计 | 第81-85页 |
| ·MSM 型紫外探测器的工作原理 | 第81-82页 |
| ·MSM 型紫外探测器设计 | 第82-85页 |
| ·MSM 型深紫外探测器的制作 | 第85-89页 |
| ·MSM 型深紫外探测器性能测试 | 第89-92页 |
| ·器件的暗电流特性 | 第89-90页 |
| ·器件的光响应特性 | 第90-92页 |
| ·本章小结 | 第92-93页 |
| 第七章 结论与展望 | 第93-95页 |
| ·本论文总结 | 第93-94页 |
| ·不足及展望 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-111页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第111-112页 |
| 指导教师及作者简介 | 第112-113页 |
| 致谢 | 第113-114页 |
