考虑偏差因素的集成电路软错误分析方法研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-22页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第8-9页 |
| 1.2 面向偏差因素的集成电路可靠性问题 | 第9-13页 |
| 1.2.1 加工工艺偏差问题 | 第10页 |
| 1.2.2 NBTI 效应及其它退化效应 | 第10-13页 |
| 1.3 软错误及产生机理分析 | 第13-17页 |
| 1.3.1 辐射引起的软错误 | 第13-15页 |
| 1.3.2 电噪声引起的软错误 | 第15-17页 |
| 1.4 软错误研究现状及分析 | 第17-20页 |
| 1.4.1 软错误率估计研究现状分析 | 第19-20页 |
| 1.4.2 软错误缓解策略研究现状 | 第20页 |
| 1.5 本文研究思路及主要研究内容 | 第20-22页 |
| 第2章 基于概率转移特性的瞬时故障分析方法 | 第22-34页 |
| 2.1 引言 | 第22页 |
| 2.2 大规模集成电路中的流水线结构分析 | 第22-23页 |
| 2.3 电压概率转移特性分析方法基本原理 | 第23-27页 |
| 2.4 多门电路电压转移特性分析 | 第27-29页 |
| 2.5 PVTC 方法验证 | 第29-33页 |
| 2.6 本章小结 | 第33-34页 |
| 第3章 考虑 NBTI 效应的瞬时故障分析 | 第34-42页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 考虑 NBTI 效应的瞬时故障概率估计 | 第34-38页 |
| 3.2.1 NBTI 效应的 R-D 模型 | 第35-37页 |
| 3.2.2 考虑 NBTI 效应的门电路建模实验 | 第37-38页 |
| 3.3 实验结果对比与分析 | 第38-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第4章 面向辐射效应的电路软错误建模方法研究 | 第42-53页 |
| 4.1 引言 | 第42页 |
| 4.2 粒子冲击引起的逻辑电路软错误建模分析 | 第42-51页 |
| 4.2.1 瞬时故障脉冲产生建模方法研究 | 第43-44页 |
| 4.2.2 瞬时故障脉冲传播建模方法研究 | 第44-48页 |
| 4.2.3 瞬时故障脉冲锁存建模方法研究 | 第48-51页 |
| 4.3 系统级软错误率分析方法研究 | 第51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 第5章 考虑偏差因素的瞬时脉冲参数估计 | 第53-62页 |
| 5.1 引言 | 第53页 |
| 5.2 面向偏差的粒子冲击产生电压脉冲估计 | 第53-55页 |
| 5.3 SVR 算法简介 | 第55-60页 |
| 5.3.1 基于 SVR 的样本学习训练与测试 | 第57-58页 |
| 5.3.2 基于 SVR 的结果测试 | 第58-60页 |
| 5.4 本章小结 | 第60-62页 |
| 结论 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-71页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文及其他成果 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
