| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 日盲紫外探测器的应用 | 第11-12页 |
| 1.2 日盲紫外探测器的发展 | 第12-13页 |
| 1.3 Ⅲ族氮化物材料性质简介 | 第13-15页 |
| 1.4 AlGaN紫外探测器研究进展 | 第15-17页 |
| 1.5 AlGaN紫外探测器研究中存在的问题 | 第17-18页 |
| 1.6 本论文的研究内容 | 第18-21页 |
| 第2章 MOCVD外延技术与表征测试方法 | 第21-33页 |
| 2.1 MOCVD外延技术简介 | 第21-22页 |
| 2.2 AlGaN外延材料表征 | 第22-29页 |
| 2.2.1 高分辨率X射线衍射 | 第22-24页 |
| 2.2.2 金相显微镜 | 第24-25页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜 | 第25-26页 |
| 2.2.4 光致发光 | 第26-27页 |
| 2.2.5 原子力显微镜 | 第27-28页 |
| 2.2.6 霍尔测试 | 第28-29页 |
| 2.3 AlGaN紫外探测器性能测试 | 第29-31页 |
| 2.3.1 电流-电压测试(I-V) | 第29-30页 |
| 2.3.2 紫外光谱响应度测试 | 第30页 |
| 2.3.3 瞬态吸收光谱测试 | 第30-31页 |
| 2.4 本章小节 | 第31-33页 |
| 第3章 MIS结构AlGaN日盲紫外光电探测器材料MOCVD生长 | 第33-47页 |
| 3.1 AlN/Sapphire模板的MOCVD外延生长 | 第33-37页 |
| 3.1.1 AlGaN外延生长衬底的选择 | 第33页 |
| 3.1.2 缓冲层的生长 | 第33-37页 |
| 3.2 AlGaN材料的掺杂 | 第37-38页 |
| 3.2.1 AlGaN材料的n型掺杂 | 第37-38页 |
| 3.2.2 AlGaN材料的p型掺杂 | 第38页 |
| 3.3 MIS结构AlGaN日盲紫外探测器材料结构设计 | 第38-40页 |
| 3.4 MIS结构AlGaN日盲紫外探测器材料生长 | 第40-42页 |
| 3.5 MIS结构AlGaN日盲紫外探测器材料的表征 | 第42-45页 |
| 3.6 本章小结 | 第45-47页 |
| 第4章 MIS结构AlGaN日盲紫外探测器的器件研究 | 第47-55页 |
| 4.1 MIS结构AlGaN日盲紫外探测器器件结构设计 | 第47页 |
| 4.2 MIS结构AlGaN日盲紫外探测器器件制备 | 第47-51页 |
| 4.2.1 样品清洗 | 第47-48页 |
| 4.2.2 沉积SiO2掩膜 | 第48页 |
| 4.2.3 制作器件窗口层 | 第48-49页 |
| 4.2.4 欧姆接触制作 | 第49页 |
| 4.2.5 肖特基接触制作 | 第49-51页 |
| 4.3 MIS结构AlGaN日盲紫外探测器性能测试 | 第51-54页 |
| 4.3.1 电学性能测试 | 第51-52页 |
| 4.3.2 光谱响应特性测试 | 第52-53页 |
| 4.3.3 响应速度测试 | 第53-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第5章 总结与展望 | 第55-57页 |
| 5.1 工作总结 | 第55-56页 |
| 5.2 展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第65页 |
