| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-25页 |
| 1.1 量子点的特性及分类 | 第9-14页 |
| 1.1.1 量子点的发光原理 | 第9-10页 |
| 1.1.2 量子点的发光特性 | 第10-13页 |
| 1.1.3 量子点的分类 | 第13-14页 |
| 1.2 量子点发光二极管(QLED) | 第14-22页 |
| 1.2.1 QLED的发展历程 | 第15-18页 |
| 1.2.2 QLED的研究现状 | 第18-21页 |
| 1.2.3 金属氧化物在QLED中的应用 | 第21-22页 |
| 1.3 目前存在的问题 | 第22-23页 |
| 1.4 本论文的研究思路和主要内容 | 第23-25页 |
| 1.4.1 本论文的研究思路 | 第23-24页 |
| 1.4.2 本论文的主要内容 | 第24-25页 |
| 第二章 QLED的结构、发光机理及性能表征 | 第25-33页 |
| 2.1 QLED的发光机理 | 第25-27页 |
| 2.1.1 QLED的基本结构 | 第25页 |
| 2.1.2 QLED发光的基本原理 | 第25-26页 |
| 2.1.3 QLED的电荷传输与复合机制 | 第26-27页 |
| 2.2 QLED载流子传输层材料 | 第27-29页 |
| 2.2.1 HTL材料 | 第27-28页 |
| 2.2.2 HIL材料 | 第28页 |
| 2.2.3 ETL材料 | 第28-29页 |
| 2.3 QLED的性能特征参数 | 第29-30页 |
| 2.4 QLED的测试和表征方法 | 第30-33页 |
| 第三章 QLED电子传输层的制备及其优化 | 第33-44页 |
| 3.1 引言 | 第33-34页 |
| 3.2 实验 | 第34-36页 |
| 3.2.1 主要实验材料 | 第34页 |
| 3.2.2 实验仪器设备 | 第34页 |
| 3.2.3 ZnO和ZnMgO纳米颗粒的合成 | 第34-35页 |
| 3.2.4 QLED的制备 | 第35-36页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第36-43页 |
| 3.3.1 ZnO和ZnMgO纳米颗粒的表征 | 第36-37页 |
| 3.3.2 薄膜性能研究 | 第37-39页 |
| 3.3.3 器件结构示意图 | 第39页 |
| 3.3.4 QLED器件性能研究 | 第39-41页 |
| 3.3.5 结果分析 | 第41-43页 |
| 3.4 总结 | 第43-44页 |
| 第四章 低温溶液法制备氧化钼及其在QLED中的应用 | 第44-51页 |
| 4.1 引言 | 第44页 |
| 4.2 实验 | 第44-46页 |
| 4.2.1 主要实验材料 | 第44-45页 |
| 4.2.2 低温溶液法合成氧化钼 | 第45页 |
| 4.2.3 QLED的制备 | 第45-46页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第46-50页 |
| 4.3.1 氧化钼薄膜 | 第46-47页 |
| 4.3.2 CdSe/CdS/ZnS量子点 | 第47-48页 |
| 4.3.3 氧化钼作为空穴传输层的QLED器件 | 第48-50页 |
| 4.4 总结 | 第50-51页 |
| 第五章 利用表面粗化提高QLED的提取效率 | 第51-60页 |
| 5.1 引言 | 第51页 |
| 5.2 实验 | 第51-53页 |
| 5.2.0 主要实验材料 | 第51-52页 |
| 5.2.1 玻璃刻蚀 | 第52页 |
| 5.2.2 QLED制备 | 第52-53页 |
| 5.3 实验结果与讨论 | 第53-59页 |
| 5.3.1 对ITO玻璃基地表征 | 第53-55页 |
| 5.3.2 QLED器件性能研究 | 第55-59页 |
| 5.4 总结 | 第59-60页 |
| 第六章 结论及展望 | 第60-62页 |
| 6.1 结论 | 第60页 |
| 6.2 展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 研究生期间所发表的论文及专利 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |