应变硅主次能谷电子迁移率的研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·国内外研究进展 | 第8-11页 |
| ·论文研究内容以及章节安排 | 第11-13页 |
| 第二章 应变硅基本物理特性研究 | 第13-27页 |
| ·应变硅形成机理 | 第13-17页 |
| ·Si晶体结构 | 第13-14页 |
| ·应变硅形成技术 | 第14-17页 |
| ·应变硅技术优点 | 第17页 |
| ·应变硅能带结构 | 第17-21页 |
| ·张应变硅导带 | 第17-19页 |
| ·压应变硅导带 | 第19-20页 |
| ·应变Si/弛豫SiGe能带结构 | 第20-21页 |
| ·应变硅基本物理特性研究 | 第21-25页 |
| ·应变硅禁带宽度 | 第21-23页 |
| ·应变硅态密度 | 第23-24页 |
| ·应变硅本征载流子浓度 | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25-27页 |
| 第三章 应变硅导带主次能谷电子散射机制研究 | 第27-49页 |
| ·应变硅导带态密度有效质量 | 第27-30页 |
| ·导带底E(k)函数 | 第27-28页 |
| ·状态密度与状态密度有效质量 | 第28-29页 |
| ·应变硅主能谷电子状态密度有效质量 | 第29-30页 |
| ·应变硅次能谷电子状态密度有效质量 | 第30页 |
| ·应变硅导带电子散射模型 | 第30-40页 |
| ·散射理论量子力学基础 | 第31-36页 |
| ·离化杂质散射模型 | 第36-37页 |
| ·声学波形变势散射模型 | 第37-40页 |
| ·谷间散射模型 | 第40页 |
| ·应变硅导带主能谷电子散射几率 | 第40-46页 |
| ·主能谷电离杂质散射几率 | 第40-42页 |
| ·主能谷声学波散射几率 | 第42-43页 |
| ·主能谷谷间散射几率 | 第43-46页 |
| ·应变硅导带次能谷电子散射几率 | 第46-48页 |
| ·次能谷电离杂质散射几率 | 第46页 |
| ·次能谷声学波散射几率 | 第46页 |
| ·次能谷谷间散射几率 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 应变硅导带主次能谷电子迁移率研究 | 第49-63页 |
| ·载流子迁移率 | 第49-51页 |
| ·应变硅电子电导有效质量 | 第51-54页 |
| ·电导有效质量 | 第51-52页 |
| ·应变硅主能谷电导有效质量 | 第52-53页 |
| ·应变硅次能谷电导有效质量 | 第53-54页 |
| ·应变硅导带主次能谷电子迁移率 | 第54-57页 |
| ·应变硅主能谷迁移率 | 第54-56页 |
| ·应变硅次能谷迁移率 | 第56-57页 |
| ·应变硅电子转移效应探索 | 第57-61页 |
| ·电子转移效应 | 第58-60页 |
| ·应变硅电子转移效应探索 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 结论 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-75页 |
| 研究成果 | 第75-76页 |
