| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第16-22页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第16-18页 |
| 1.2 InAs/AlSb HEMT低温特性研究进展 | 第18-20页 |
| 1.3 本文主要内容与结构安排 | 第20-22页 |
| 第二章 HEMT器件原理以及主要模型 | 第22-34页 |
| 2.1 2DEG产生机制 | 第22-23页 |
| 2.2 HEMT器件工作原理 | 第23-25页 |
| 2.3 ISE TCAD软件简介 | 第25-26页 |
| 2.4 器件物理模型 | 第26-32页 |
| 2.4.1 载流子输运模型 | 第26-29页 |
| 2.4.2 迁移率模型 | 第29-31页 |
| 2.4.3 产生复合模型 | 第31-32页 |
| 2.5 本章小结 | 第32-34页 |
| 第三章 异质结的低温特性 | 第34-46页 |
| 3.1 二维电子气迁移率的低温特性 | 第34-41页 |
| 3.1.1 电离杂质散射 | 第35-36页 |
| 3.1.2 晶格振动散射 | 第36-38页 |
| 3.1.3 界面粗糙度散射 | 第38-39页 |
| 3.1.4 迁移率随温度的变化 | 第39-41页 |
| 3.2 二维电子气浓度的温度特性 | 第41-43页 |
| 3.3 Hall效应变温测试 | 第43-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 第四章 器件低温特性仿真 | 第46-66页 |
| 4.1 仿真结构 | 第46-47页 |
| 4.2 常温特性仿真 | 第47-58页 |
| 4.2.1 直流特性 | 第48-52页 |
| 4.2.2 微波特性 | 第52-58页 |
| 4.3 低温特性仿真 | 第58-64页 |
| 4.3.1 直流特性 | 第58-62页 |
| 4.3.2 微波特性 | 第62-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-66页 |
| 第五章 总结与展望 | 第66-70页 |
| 参考文献 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-74页 |
| 作者简介 | 第74-75页 |