MOCVD TiN薄膜在先进集成电路制造中应用的研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-19页 |
| ·集成电路制造的后段工艺 | 第7-10页 |
| ·金属连线的需求 | 第7-8页 |
| ·金属连线的典型工艺 | 第8-10页 |
| ·CVD及MOCVD简介 | 第10-14页 |
| ·CVD的定义和特点 | 第10-11页 |
| ·一个典型的CVD过程 | 第11-12页 |
| ·CVD技术的基本原理 | 第12-13页 |
| ·MOCVD的特点 | 第13页 |
| ·等离子体技术的应用 | 第13-14页 |
| ·薄膜电导率理论 | 第14-16页 |
| ·Thomson模型 | 第14-15页 |
| ·F-S模型 | 第15页 |
| ·M-S模型 | 第15-16页 |
| ·对MOCVD TiN薄膜的分析 | 第16页 |
| ·MOCVD TiN薄膜材料的研究现状 | 第16-17页 |
| ·本论文的主要工作 | 第17-19页 |
| 第二章 MOCVD TiN薄膜的独特性质 | 第19-36页 |
| ·相关基础知识 | 第19-21页 |
| ·前驱物和反应原理 | 第19-20页 |
| ·硬件构造 | 第20页 |
| ·基本工艺制程 | 第20-21页 |
| ·MOCVD TiN薄膜的独特性质 | 第21-27页 |
| ·薄膜的稳定性 | 第21-23页 |
| ·等离子体处理的饱和效应 | 第23-25页 |
| ·薄膜的均匀性 | 第25-27页 |
| ·主要参数的影响 | 第27-34页 |
| ·等离子体处理过程中的主要参数 | 第27-30页 |
| ·淀积过程中的主要参数 | 第30-34页 |
| ·薄膜方块电阻均匀性的变化 | 第34页 |
| ·本章小结 | 第34-36页 |
| 第三章 电阻性能改进与微观分析 | 第36-50页 |
| ·TiN薄膜电阻率的比较方法 | 第36-38页 |
| ·平面薄膜电阻率的比较和改进 | 第38-42页 |
| ·基本参数的调整 | 第38-40页 |
| ·循环次数的调整 | 第40-42页 |
| ·薄膜成分和微结构分析 | 第42-47页 |
| ·薄膜的杂质元素浓度分布 | 第42-44页 |
| ·多次循环样品的界面 | 第44-45页 |
| ·PT作用下的晶体生长 | 第45-47页 |
| ·MOCVD TiN薄膜生长模型 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 薄膜在真实结构中的性质 | 第50-68页 |
| ·均匀性能的分析和比较 | 第50-52页 |
| ·阶梯覆盖能力 | 第52-55页 |
| ·薄膜的微结构 | 第55-59页 |
| ·顶部与侧壁薄膜结构的比较 | 第55-57页 |
| ·底部与顶部、侧壁薄膜结构的比较 | 第57-59页 |
| ·电学性能研究 | 第59-67页 |
| ·Via Chain和Kelvin Via的结构 | 第59-60页 |
| ·基于Via Chain结构数据的分析 | 第60-62页 |
| ·基于Kelvin Via结构数据的分析 | 第62-63页 |
| ·一些重要工艺参数对真实结构电阻的影响 | 第63页 |
| ·电阻模型的建立 | 第63-66页 |
| ·基于电学性能的工艺选择 | 第66-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 第五章 可靠性与工艺优选 | 第68-81页 |
| ·实际应用的要求 | 第68页 |
| ·阻挡层性能 | 第68-71页 |
| ·TiN工艺对电迁移的影响 | 第71-74页 |
| ·电迁移介绍 | 第71-73页 |
| ·Via电阻对电迁移性能的影响 | 第73-74页 |
| ·TiN工艺对电迁移性能的影响 | 第74页 |
| ·生产效率 | 第74-76页 |
| ·主要工艺的综合比较与选择 | 第76-78页 |
| ·工艺整合中其它影响Via电阻的因素 | 第78-79页 |
| ·本章小节 | 第79-81页 |
| 第六章 总结 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-88页 |
| 附录A1 CVD在集成电路制造工艺中的应用 | 第88-94页 |
| A1.1 半导体 | 第88页 |
| A1.2 绝缘体 | 第88-92页 |
| A1.3 金属导体 | 第92-94页 |
| 附录A2 MOCVD TiN在铜工艺中的应用 | 第94-95页 |
| 附录A3 | 第95-98页 |
| 攻读博士期间发表的论文目录 | 第95-98页 |
| 致谢 | 第98-99页 |
| 个人简历 | 第99-100页 |
| 学位论文独创性声明 | 第100页 |
| 学位论文使用授权声明 | 第100页 |
