HfO2栅介质的表面界面特性研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| ·传统SiO_2栅介质新世纪面临的问题 | 第9-12页 |
| ·新型高k栅介质替代SiO_2栅介质 | 第12-19页 |
| ·高k栅介质应满足的要求 | 第13-14页 |
| ·高k栅介质研究进展 | 第14-19页 |
| ·论文的研究工作及内容安排 | 第19-21页 |
| 第二章 HfO_2高k栅介质薄膜的制备 | 第21-29页 |
| ·常见高k栅介质薄膜制备方法 | 第21-25页 |
| ·化学气相沉积法 | 第21-22页 |
| ·物理气相沉积法 | 第22页 |
| ·激光脉冲沉积法 | 第22-23页 |
| ·原子层淀积法 | 第23-25页 |
| ·ALD制备HfO_2/SiO_2叠栅高k薄膜 | 第25-29页 |
| 第三章 高k栅介质的表征方法 | 第29-39页 |
| ·量子化学计算方法 | 第29-34页 |
| ·量子化学基础 | 第29-30页 |
| ·Hartree-Fock方法 | 第30-32页 |
| ·密度泛函理论 | 第32-34页 |
| ·表征HfO_2薄膜的主要参数 | 第34-39页 |
| ·等效氧化厚度 | 第34-36页 |
| ·界面层厚度 | 第36-37页 |
| ·平带电压 | 第37-39页 |
| 第四章 HfO_2高k薄膜特性的表征实验 | 第39-57页 |
| ·薄膜XRD晶体结构分析 | 第39-42页 |
| ·X射线衍射基本原理 | 第39-40页 |
| ·X射线衍射分析试验 | 第40-42页 |
| ·薄膜XRR分析 | 第42-44页 |
| ·X射线反射基本原理 | 第42-43页 |
| ·X射线反射试验 | 第43-44页 |
| ·薄膜AFM表面形貌分析 | 第44-48页 |
| ·AFM基本原理 | 第44-46页 |
| ·AFM表面形貌分析试验 | 第46-48页 |
| ·薄膜TEM微结构分析 | 第48-51页 |
| ·TEM基本原理 | 第49页 |
| ·氩离子减薄法制备TEM样品 | 第49-50页 |
| ·TEM表面形貌试验 | 第50-51页 |
| ·高k薄膜化学组分分析 | 第51-57页 |
| ·XPS基本原理 | 第51-52页 |
| ·XPS化学组分分析试验 | 第52-57页 |
| 第五章 结论与展望 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第65-66页 |
