| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 聚合物微光学元件的应用发展趋势 | 第10页 |
| 1.2 聚合物微光学元件的制作技术进展 | 第10-16页 |
| 1.2.1 电子束写入技术 | 第11-12页 |
| 1.2.2 反应离子束刻蚀技术 | 第12-13页 |
| 1.2.3 激光烧蚀技术 | 第13页 |
| 1.2.4 热成型技术 | 第13页 |
| 1.2.5 激光直写入技术 | 第13-14页 |
| 1.2.6 灰度掩模技术 | 第14-15页 |
| 1.2.7 光漂白技术 | 第15-16页 |
| 1.3 数字掩模技术制备聚合物微光学元件的优势 | 第16-17页 |
| 1.4 本论文研究的主要工作 | 第17-19页 |
| 第2章 数字掩模技术系统设计 | 第19-29页 |
| 2.1 系统结构设计 | 第19页 |
| 2.2 系统的工作原理 | 第19-20页 |
| 2.3 系统光路设计 | 第20-24页 |
| 2.3.1 曝光光源 | 第20-22页 |
| 2.3.2 准直匀光系统 | 第22-24页 |
| 2.4 掩模生成系统 | 第24-29页 |
| 2.4.1 空间光调制器DMD | 第24-26页 |
| 2.4.2 精缩投影镜组 | 第26-29页 |
| 第3章 基于数字掩模技术聚合物二元相位光栅的工艺研究 | 第29-37页 |
| 3.1 聚合物光敏光刻胶的选择 | 第29-30页 |
| 3.2 聚合物SU-8 光刻胶介绍 | 第30-33页 |
| 3.2.1 聚合物SU-8 胶的紫外曝光机理 | 第31-32页 |
| 3.2.2 聚合物SU-8 胶的紫外吸收致折射率变化分析 | 第32-33页 |
| 3.3 基于数字掩模技术聚合物SU-8 曝光特性研究 | 第33-37页 |
| 3.3.1 聚合物SU-8 薄膜吸收曝光能量理论分析 | 第33-34页 |
| 3.3.2 实验探究聚合物SU-8 胶的紫外曝光时间与曝光深度的关系 | 第34-37页 |
| 第4章 实物制作及误差分析 | 第37-50页 |
| 4.1 聚合物SU-8 二元相位光栅的制作流程 | 第37-41页 |
| 4.1.1 数字掩模设计 | 第37-38页 |
| 4.1.2 基片预处理 | 第38-39页 |
| 4.1.3 匀胶 | 第39-40页 |
| 4.1.4 前烘 | 第40页 |
| 4.1.5 曝光 | 第40-41页 |
| 4.1.6 后烘 | 第41页 |
| 4.2 表面轮廓测试结果以及误差分析 | 第41-45页 |
| 4.3 光栅衍射特性测试结果及分析 | 第45-47页 |
| 4.4 实验小结 | 第47-50页 |
| 第5章 总结与展望 | 第50-52页 |
| 5.1 总结 | 第50-51页 |
| 5.2 展望 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
