| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 硅微结构背景 | 第8-9页 |
| 1.2 硅微结构应用 | 第9-13页 |
| 1.2.1 硅微结构在太阳能电池领域的应用 | 第9-11页 |
| 1.2.2 硅微结构在微传感器领域的应用 | 第11-12页 |
| 1.2.3 硅微结构在光电器件领域的应用 | 第12-13页 |
| 1.3 硅微结构的制备方法 | 第13-16页 |
| 1.3.1 金属辅助化学刻蚀法制备硅微结构 | 第13-14页 |
| 1.3.2 电化学法制备硅微结构 | 第14-15页 |
| 1.3.3 溅射刻蚀法制备硅微结构 | 第15-16页 |
| 1.3.4 化学气相沉积法制备硅微结构 | 第16页 |
| 1.3.5 其他刻蚀法制备硅微结构 | 第16页 |
| 1.4 本文研究的主要内容 | 第16-18页 |
| 第二章 硅微结构金属辅助化学刻蚀技术机理 | 第18-24页 |
| 2.1 金属辅助化学刻蚀机理 | 第18-20页 |
| 2.1.1 金属辅助化学一步法刻蚀机理 | 第18页 |
| 2.1.2 金属辅助化学两步法刻蚀机理 | 第18-20页 |
| 2.2 刻蚀反应中硅的溶解模型 | 第20-23页 |
| 2.2.1 四价溶解过程 | 第20-22页 |
| 2.2.2 二价溶解过程 | 第22-23页 |
| 2.3 本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 金属辅助化学刻蚀制备多孔硅/硅纳米线实验研究 | 第24-35页 |
| 3.1 实验材料及实验反应装置 | 第24-25页 |
| 3.1.1 实验材料 | 第24页 |
| 3.1.2 实验反应装置 | 第24-25页 |
| 3.2 多孔硅的制备 | 第25-27页 |
| 3.2.1 硅片的清洗 | 第25-26页 |
| 3.2.2 实验反应溶液的配置 | 第26页 |
| 3.2.3 多孔硅的形成 | 第26-27页 |
| 3.3 硅纳米线制备工艺优化 | 第27-32页 |
| 3.3.1 传统硅纳米线制备工艺存在的问题 | 第27-28页 |
| 3.3.2 限定区域的制作 | 第28-31页 |
| 3.3.3 硅纳米线的形成 | 第31-32页 |
| 3.4 硅微结构性能测试 | 第32-34页 |
| 3.4.1 表面和横截面形貌测试 | 第32-33页 |
| 3.4.2 反射率测试 | 第33-34页 |
| 3.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 金属辅助化学刻蚀硅微结构实验结果分析与讨论 | 第35-49页 |
| 4.1 刻蚀时间对多孔硅微观结构的影响 | 第35-38页 |
| 4.1.1 刻蚀时间对多孔硅表面形貌的影响 | 第35-37页 |
| 4.1.2 刻蚀时间对多孔硅孔隙率的影响 | 第37-38页 |
| 4.2 刻蚀时间对多孔硅反射率的影响 | 第38-39页 |
| 4.3 氧化剂浓度对多孔硅表面形貌的影响 | 第39-41页 |
| 4.4 刻蚀时间对硅纳米线横截面形貌的影响 | 第41-44页 |
| 4.5 氧化剂浓度对硅纳米线微观结构的影响 | 第44-47页 |
| 4.5.1 氧化剂浓度对硅纳米线表面形貌的影响 | 第44-46页 |
| 4.5.2 氧化剂浓度对硅纳米线横截面形貌的影响 | 第46-47页 |
| 4.6 本章小结 | 第47-49页 |
| 结论 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第53页 |