5V工艺下SCR结构在ESD应力下的特性研究及优化
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第一章 引言 | 第9-14页 |
| 1.1 ESD保护的发展动态 | 第10-11页 |
| 1.2 论文研究背景与意义 | 第11-12页 |
| 1.3 本文的主要工作 | 第12-14页 |
| 第二章 基本ESD保护结构 | 第14-26页 |
| 2.1 ESD保护的机理 | 第14-15页 |
| 2.2 传统ESD保护器件 | 第15-21页 |
| 2.2.1 二极管 | 第15-18页 |
| 2.2.2 BJT | 第18-19页 |
| 2.2.3 MOSFET | 第19-20页 |
| 2.2.4 SCR | 第20-21页 |
| 2.3 SCR结构的建模分析 | 第21-24页 |
| 2.3.1 触发前 | 第22页 |
| 2.3.2 snapback区 | 第22-24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-26页 |
| 第三章 SCR结构优化与仿真 | 第26-41页 |
| 3.1 LVTSCR结构 | 第26-29页 |
| 3.1.1 器件结构与仿真 | 第26-27页 |
| 3.1.2 工作原理的分析 | 第27-29页 |
| 3.2 SCR优化设计 | 第29-36页 |
| 3.2.1 新型SCR结构 | 第29-30页 |
| 3.2.2 输入端口 PS模式仿真 | 第30-33页 |
| 3.2.3 Power Clamp模式仿真 | 第33-34页 |
| 3.2.4 输出端口 PD模式分析 | 第34-36页 |
| 3.3 维持电压与二次击穿电流的分析 | 第36-37页 |
| 3.4 软击穿（SOFT LEAKAGE） | 第37-40页 |
| 3.4.1 电场诱导 | 第38-39页 |
| 3.4.2 热诱导 | 第39-40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 ESD触发电路与射频ESD保护 | 第41-72页 |
| 4.1 主动触发技术原理 | 第41-50页 |
| 4.1.1 主动触发技术简介 | 第41-42页 |
| 4.1.2 电信号的识别与捕捉 | 第42-44页 |
| 4.1.3 NMOS在不同Vgs下的仿真 | 第44-46页 |
| 4.1.4 主动触发电路分析与仿真 | 第46-48页 |
| 4.1.5 主动触发电路的优化 | 第48-50页 |
| 4.2 SCR抗闩锁触发电路 | 第50-57页 |
| 4.2.1 SCR在不同VG下的触发 | 第50-51页 |
| 4.2.2 SCR触发电路识别 | 第51-54页 |
| 4.2.3 SCR触发电路电桥设计 | 第54-55页 |
| 4.2.4 SCR触发电路的仿真与分析 | 第55-57页 |
| 4.3 RFIC的ESD保护问题 | 第57-69页 |
| 4.3.1 ESD重要参数设计 | 第58-61页 |
| 4.3.2 频率特性的分析 | 第61-64页 |
| 4.3.3 实验结果与分析 | 第64-69页 |
| 4.4 ESD保护技术展望 | 第69-71页 |
| 4.4.1 高压ESD保护 | 第69-70页 |
| 4.4.2 ESD保护方式 | 第70-71页 |
| 4.5 本章小结 | 第71-72页 |
| 第五章 结论 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-78页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第78-79页 |
