| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 引言 | 第10-12页 |
| 1.2 研究背景与现状 | 第12-20页 |
| 1.2.1 SPICE模型与仿真器概述 | 第12-15页 |
| 1.2.2 高压MOSFET和模型 | 第15-18页 |
| 1.2.3 SPICE建模语言 | 第18-20页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第20-22页 |
| 第二章 BSIM4的Verilog-A语言模型 | 第22-32页 |
| 2.1 Verilog-A格式的BSIM4模型结构 | 第22-23页 |
| 2.2 Verilog-A格式BSIM4模型的输入处理 | 第23-27页 |
| 2.3 Verilog-A格式BSIM4模型的输出处理 | 第27-30页 |
| 2.4 Verilog-A语言模型和C语言模型的比较 | 第30-31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 LDMOS的结构与特性 | 第32-41页 |
| 3.1 LDMOS的结构和工艺 | 第32-36页 |
| 3.2 LDMOS器件的特殊效应 | 第36-40页 |
| 3.2.1 准饱和效应 | 第37-38页 |
| 3.2.2 自加热效应 | 第38-39页 |
| 3.2.3 碰撞电离效应 | 第39-40页 |
| 3.3 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 LDMOS建模 | 第41-53页 |
| 4.1 一般的漂移区建模 | 第41-48页 |
| 4.2 特殊效应建模 | 第48-52页 |
| 4.2.1 准饱和效应模型 | 第48-49页 |
| 4.2.2 自热效应模型 | 第49-52页 |
| 4.3 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 LDMOS模型的实现 | 第53-64页 |
| 5.1 漂移区模型 | 第53-60页 |
| 5.2 自热效应模型 | 第60-63页 |
| 5.3 本章小结 | 第63-64页 |
| 第六章 结论 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-68页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第68-69页 |
