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基于高压浮栅驱动芯片抗噪能力测试的噪声信号源设计

摘要第5-6页
Abstract第6页
第一章 绪论第9-15页
    1.1 引言第9页
    1.2 课题的背景与意义第9-11页
        1.2.1 高压浮栅驱动芯片的发展背景第9页
        1.2.2 高压浮栅驱动芯片抗噪能力测试技术的研究意义第9-11页
    1.3 国内外研究及发展现状第11-13页
        1.3.1 脉冲技术研究现状第11-12页
        1.3.2 控制信号技术研究现状第12-13页
    1.4 本文研究的目的和主要内容第13页
    1.5 本章小结第13-15页
第二章 噪声脉冲发生电路的理论研究第15-23页
    2.1 脉冲技术原理第15-17页
        2.1.1 单开关管脉冲成形电路分析第15-16页
        2.1.2 多开关管串联脉冲成形电路分析第16-17页
        2.1.3 Marx电路第17页
    2.2 Marx电路理论第17-20页
        2.2.1 电路传统结构第17-18页
        2.2.2 Marx电路充放电过程分析第18-20页
    2.3 Marx电路功率开关器件第20-22页
        2.3.1 功率MOSFET原理第20-21页
        2.3.2 MOSFET的主要参数第21-22页
        2.3.3 功率MOSFET工作特性第22页
    2.4 本章小结第22-23页
第三章 噪声脉冲发生电路整体设计第23-33页
    3.1 基本电路第23-28页
        3.1.1 主电路的组成第23-24页
        3.1.2 开关器件MOSFET的选择第24-25页
        3.1.3 主体Marx电路设计第25-28页
    3.2 MOSFET驱动电路研究第28-32页
        3.2.1 驱动电路设计要求第29页
        3.2.2 驱动电路设计参数第29-30页
        3.2.3 驱动信号的电气隔离第30页
        3.2.4 驱动电路供电第30-31页
        3.2.5 驱动电路整体设计第31-32页
    3.3 脉冲低电平模块设计第32页
    3.4 本章小结第32-33页
第四章 脉冲发生电路特性研究及电路结构优化第33-43页
    4.1 电容对充放电特性的影响第33-36页
        4.1.1 电容完全充放电模式下的研究第33-34页
        4.1.2 电容不完全充放电模式下的研究第34-36页
        4.1.3 两种模式的对比第36页
    4.2 脉冲整形电路第36-38页
        4.2.1 脉冲整形理论分析第36-37页
        4.2.2 LC整形电路的仿真及参数确定第37-38页
    4.3 输出负载的影响第38页
    4.4 脉冲调制第38-40页
        4.4.1 脉冲幅度调制第38-39页
        4.4.2 脉冲宽度调制及并联电压补偿网络第39-40页
    4.5 脉冲低电平模块仿真及结构优化第40-42页
    4.6 本章小结第42-43页
第五章 系统实现与测试结果第43-53页
    5.1 控制信号电路设计思路第43页
    5.2 控制信号电路的总体规划第43-44页
    5.3 外设电路及程序设计第44-46页
        5.3.1 输入外设原理第44-45页
        5.3.2 显示外设原理第45-46页
        5.3.3 外设部分程序第46页
    5.4 基于Quartus Ⅱ开发环境的FPGA设计第46-49页
        5.4.1 Quartus Ⅱ开发软件简介第46-47页
        5.4.2 Quartus Ⅱ设计流程第47页
        5.4.3 Quartus Ⅱ的宏功能模块及PLL锁相环第47-48页
        5.4.4 控制信号电路主程序仿真第48页
        5.4.5 程序的下载配置第48-49页
    5.5 测试系统输出结果第49-52页
        5.5.1 系统搭建及测试环境第49-50页
        5.5.2 系统输出结果第50-52页
    5.6 本章小结第52-53页
第六章 总结与展望第53-55页
    6.1 总结第53-54页
    6.2 展望第54-55页
致谢第55-57页
参考文献第57-59页

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