| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第8-9页 |
| 1.2 国内外研究动态及发展趋势 | 第9-12页 |
| 1.3 主要研究内容 | 第12-14页 |
| 2 基准电压源的基础理论 | 第14-21页 |
| 2.1 基准电压源的基本原理 | 第14页 |
| 2.2 基准电压源的分类 | 第14-19页 |
| 2.2.1 零阶基准电压源 | 第14-16页 |
| 2.2.2 一阶基准电压源 | 第16-17页 |
| 2.2.3 曲率校正基准电压源 | 第17-19页 |
| 2.3 基准电压源的主要性能参数 | 第19-20页 |
| 2.4 本章小结 | 第20-21页 |
| 3 CMOS带隙基准电压源的温度特性分析及补偿技术 | 第21-32页 |
| 3.1 CMOS带隙基准源的组成及原理 | 第21-25页 |
| 3.1.1 VBE的温度特性 | 第21-24页 |
| 3.1.2 ?VBE的温度特性 | 第24-25页 |
| 3.2 典型CMOS带隙基准电压源的温度特性分析 | 第25-27页 |
| 3.3 典型CMOS带隙基准电压源的补偿技术 | 第27-30页 |
| 3.4 本章小结 | 第30-32页 |
| 4 CMOS带隙基准电压源电路的设计 | 第32-45页 |
| 4.1 设计指标要求 | 第32页 |
| 4.2 典型CMOS带隙基准电压源的设计 | 第32-43页 |
| 4.2.1 核心电路参数设计 | 第32-36页 |
| 4.2.2 运算放大器电路及参数设计 | 第36-42页 |
| 4.2.3 启动电路的设计 | 第42-43页 |
| 4.3 改进的CMOS带隙基准电压源参数设计 | 第43-44页 |
| 4.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 5 CMOS带隙基准电压源的仿真 | 第45-57页 |
| 5.1 Spectre仿真工具简介 | 第45页 |
| 5.2 CMOS带隙基准电压源温度特性的仿真 | 第45-53页 |
| 5.2.1 典型CMOS带隙基准电压源的温度特性 | 第45-52页 |
| 5.2.2 改进的CMOS带隙基准电压源温度特性 | 第52-53页 |
| 5.3 改进CMOS带隙基准电压源的其他指标参数仿真 | 第53-56页 |
| 5.3.1 改进的CMOS带隙基准电压源电源抑制比 | 第53-54页 |
| 5.3.2 改进的CMOS带隙基准电压源线性调整率 | 第54-55页 |
| 5.3.3 改进的CMOS带隙基准电压源启动时间 | 第55-56页 |
| 5.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 6 结论 | 第57-59页 |
| 6.1 结论 | 第57-58页 |
| 6.2 展望 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 附录 攻读学位期间发表的专利及论文 | 第63页 |
