用霍尔效应测试研究直拉单晶硅的电学性能
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-33页 |
| ·前言 | 第11-13页 |
| ·研究背景和意义 | 第11-12页 |
| ·本文研究目标 | 第12页 |
| ·本文结构安排 | 第12-13页 |
| ·载流子散射理论 | 第13-19页 |
| ·基本理论 | 第13-14页 |
| ·Klaassen迁移率模型 | 第14-19页 |
| ·硅中的氧 | 第19-21页 |
| ·硅中氧的引入 | 第19-20页 |
| ·硅中氧的性质和作用 | 第20-21页 |
| ·硅中的氮 | 第21-33页 |
| ·硅中氮的引入 | 第21-22页 |
| ·硅中氮的性质和作用 | 第22-23页 |
| ·氮氧复合体 | 第23-33页 |
| 第二章 实验样品和实验设备 | 第33-39页 |
| ·实验样品和样品制备 | 第33页 |
| ·实验样品 | 第33页 |
| ·样品制备 | 第33页 |
| ·热处理设备 | 第33-36页 |
| ·常规热处理炉(CFA) | 第33-34页 |
| ·快速热处理炉(RTP) | 第34-36页 |
| ·主要测试设备 | 第36-39页 |
| ·霍尔效应测试仪 | 第36-39页 |
| 第三章 重掺直拉单晶硅的电学性能研究 | 第39-49页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·实验 | 第39-40页 |
| ·结果与讨论 | 第40-47页 |
| ·电阻率与温度的关系 | 第40-42页 |
| ·载流子浓度与温度的关系 | 第42-44页 |
| ·载流子迁移率与温度的关系 | 第44-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 n型补偿直拉单晶硅的电子迁移率研究 | 第49-55页 |
| ·引言 | 第49页 |
| ·实验与理论 | 第49-50页 |
| ·实验 | 第49-50页 |
| ·理论 | 第50页 |
| ·结果与讨论 | 第50-54页 |
| ·实验结果与Klaassen模型的比较 | 第50-52页 |
| ·对Klaassen模型的分析和修正 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 快速热处理注入硅中的氮的电活性研究 | 第55-63页 |
| ·引言 | 第55页 |
| ·实验 | 第55-56页 |
| ·结果与讨论 | 第56-62页 |
| ·水汽在RTP热处理过程中对氮原子注入的影响 | 第56-58页 |
| ·RTP处理注入的氮的电活性 | 第58-61页 |
| ·氮气氛下RTP处理与常规热处理的比较 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第六章 总结 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 个人简历 | 第75-77页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第77页 |
