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ZrB2和SiC在高温低氧压下氧化的原位研究

摘要第1-6页
Abstract第6-10页
第一章 绪论第10-32页
   ·选题背景第10-11页
   ·ZrB_2的基本性质第11-15页
     ·Zr-B二元平衡相图第11-12页
     ·晶体结构与化学键第12-13页
     ·力学性质第13-14页
     ·热学性质第14页
     ·电学性质第14-15页
   ·ZrB_2氧化研究现状第15-18页
     ·热力学分析第15-16页
     ·动力学分析第16-17页
     ·计算与模型第17-18页
   ·SiC的基本性质第18-22页
     ·晶体结构第18-19页
     ·力学性质第19-20页
     ·热学性质第20页
     ·电学性质第20页
     ·化学稳定性第20-21页
     ·光学性质第21-22页
     ·SiC的应用第22页
   ·SiC氧化研究现状第22-31页
     ·SiC氧化动力学第23-24页
     ·控制氧化速率的扩散因素第24-25页
     ·SiO_2/SiC界面第25-26页
     ·SiC的初期氧化第26-28页
     ·SiC活性/钝化氧化机制转换第28-31页
   ·本论文研究的主要内容第31-32页
第二章 实验原理及方法第32-42页
   ·透射电子显微镜第32-37页
     ·透射电镜的基本构造第32页
     ·透射电镜成像原理第32-37页
   ·环境透射电子显微镜第37-40页
     ·进气系统第37-38页
     ·加热系统第38-40页
   ·实验设计第40页
   ·样品表征手段第40-42页
第三章 纳米ZrB_2高温氧化的原位研究第42-54页
   ·试样信息第42页
   ·纳米ZrB_2试样的表征第42-46页
     ·扫描电子显微镜与能谱第42-43页
     ·透射电子显微镜及能谱面扫描第43-45页
     ·X射线光电子能谱第45-46页
   ·原位实验步骤第46页
   ·实验结果第46-50页
     ·升温阶段第46-48页
     ·氧化反应阶段第48-50页
     ·氧化产物第50页
   ·ZrB_2高温氧化的讨论第50-53页
     ·ZrB_2的高温氧化机理第50-51页
     ·立方氮化硼层状结构形成机理第51-53页
   ·本章小结第53-54页
第四章 微米ZrB_2氧化的原位/离位研究第54-62页
   ·试样信息第54页
   ·微米ZrB_2试样的表征第54-56页
     ·扫描电子显微镜第54页
     ·透射电子显微镜第54-55页
     ·X射线光电子能谱第55-56页
   ·实验步骤第56-57页
   ·实验结果与讨论第57-61页
     ·原位氧化第57-58页
     ·离位氧化第58-61页
   ·本章小结第61-62页
第五章 3C-SiC(111)晶面高温氧化的原位研究第62-78页
   ·试样信息第62页
   ·SiC纳米颗粒的表征第62-65页
     ·扫描电子显微镜及能谱第62-63页
     ·透射电子显微镜第63-64页
     ·X射线光电子能谱第64-65页
   ·原位实验步骤第65-67页
     ·升温阶段第65-66页
     ·氧化反应阶段第66-67页
   ·实验结果第67-71页
     ·SiC(111)晶面氧化速率第67-68页
     ·SiC(111)晶面上氧化膜生长速率第68-69页
     ·Si-C双层结构的演变第69-71页
   ·SiC高温氧化的讨论第71-76页
     ·SiC的氧化机理第71-72页
     ·影响SiO_x膜生长的因素第72-73页
     ·SiC氧化激活能第73-74页
     ·SiC/SiO_x界面第74-75页
     ·Si-面与C-面氧化比较第75-76页
     ·电子束对原位观察的影响第76页
   ·本章小结第76-78页
第六章 结论第78-80页
参考文献第80-88页
致谢第88-90页
个人简历第90-92页
攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果第92页

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