摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-10页 |
第一章 绪论 | 第10-32页 |
·选题背景 | 第10-11页 |
·ZrB_2的基本性质 | 第11-15页 |
·Zr-B二元平衡相图 | 第11-12页 |
·晶体结构与化学键 | 第12-13页 |
·力学性质 | 第13-14页 |
·热学性质 | 第14页 |
·电学性质 | 第14-15页 |
·ZrB_2氧化研究现状 | 第15-18页 |
·热力学分析 | 第15-16页 |
·动力学分析 | 第16-17页 |
·计算与模型 | 第17-18页 |
·SiC的基本性质 | 第18-22页 |
·晶体结构 | 第18-19页 |
·力学性质 | 第19-20页 |
·热学性质 | 第20页 |
·电学性质 | 第20页 |
·化学稳定性 | 第20-21页 |
·光学性质 | 第21-22页 |
·SiC的应用 | 第22页 |
·SiC氧化研究现状 | 第22-31页 |
·SiC氧化动力学 | 第23-24页 |
·控制氧化速率的扩散因素 | 第24-25页 |
·SiO_2/SiC界面 | 第25-26页 |
·SiC的初期氧化 | 第26-28页 |
·SiC活性/钝化氧化机制转换 | 第28-31页 |
·本论文研究的主要内容 | 第31-32页 |
第二章 实验原理及方法 | 第32-42页 |
·透射电子显微镜 | 第32-37页 |
·透射电镜的基本构造 | 第32页 |
·透射电镜成像原理 | 第32-37页 |
·环境透射电子显微镜 | 第37-40页 |
·进气系统 | 第37-38页 |
·加热系统 | 第38-40页 |
·实验设计 | 第40页 |
·样品表征手段 | 第40-42页 |
第三章 纳米ZrB_2高温氧化的原位研究 | 第42-54页 |
·试样信息 | 第42页 |
·纳米ZrB_2试样的表征 | 第42-46页 |
·扫描电子显微镜与能谱 | 第42-43页 |
·透射电子显微镜及能谱面扫描 | 第43-45页 |
·X射线光电子能谱 | 第45-46页 |
·原位实验步骤 | 第46页 |
·实验结果 | 第46-50页 |
·升温阶段 | 第46-48页 |
·氧化反应阶段 | 第48-50页 |
·氧化产物 | 第50页 |
·ZrB_2高温氧化的讨论 | 第50-53页 |
·ZrB_2的高温氧化机理 | 第50-51页 |
·立方氮化硼层状结构形成机理 | 第51-53页 |
·本章小结 | 第53-54页 |
第四章 微米ZrB_2氧化的原位/离位研究 | 第54-62页 |
·试样信息 | 第54页 |
·微米ZrB_2试样的表征 | 第54-56页 |
·扫描电子显微镜 | 第54页 |
·透射电子显微镜 | 第54-55页 |
·X射线光电子能谱 | 第55-56页 |
·实验步骤 | 第56-57页 |
·实验结果与讨论 | 第57-61页 |
·原位氧化 | 第57-58页 |
·离位氧化 | 第58-61页 |
·本章小结 | 第61-62页 |
第五章 3C-SiC(111)晶面高温氧化的原位研究 | 第62-78页 |
·试样信息 | 第62页 |
·SiC纳米颗粒的表征 | 第62-65页 |
·扫描电子显微镜及能谱 | 第62-63页 |
·透射电子显微镜 | 第63-64页 |
·X射线光电子能谱 | 第64-65页 |
·原位实验步骤 | 第65-67页 |
·升温阶段 | 第65-66页 |
·氧化反应阶段 | 第66-67页 |
·实验结果 | 第67-71页 |
·SiC(111)晶面氧化速率 | 第67-68页 |
·SiC(111)晶面上氧化膜生长速率 | 第68-69页 |
·Si-C双层结构的演变 | 第69-71页 |
·SiC高温氧化的讨论 | 第71-76页 |
·SiC的氧化机理 | 第71-72页 |
·影响SiO_x膜生长的因素 | 第72-73页 |
·SiC氧化激活能 | 第73-74页 |
·SiC/SiO_x界面 | 第74-75页 |
·Si-面与C-面氧化比较 | 第75-76页 |
·电子束对原位观察的影响 | 第76页 |
·本章小结 | 第76-78页 |
第六章 结论 | 第78-80页 |
参考文献 | 第80-88页 |
致谢 | 第88-90页 |
个人简历 | 第90-92页 |
攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第92页 |