纳米级CMOS工艺低功耗多米诺电路的设计研究
摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-8页 |
第1章 绪论 | 第8-12页 |
·课题研究背景及意义 | 第8-9页 |
·国内外的研究进展 | 第9-10页 |
·研究方案及主要内容 | 第10-12页 |
第2章 多米诺电路的功耗和性能 | 第12-18页 |
·多米诺电路的工作原理 | 第12-13页 |
·多米诺电路的性能 | 第13-14页 |
·多米诺电路的功耗 | 第14-17页 |
·多米诺电路的功耗组成 | 第14-16页 |
·多米诺电路的功耗特性 | 第16-17页 |
·本章小结 | 第17-18页 |
第3章 浮栅MOS器件介绍 | 第18-24页 |
·浮栅MOS器件基本结构及特点 | 第18-20页 |
·浮栅MOS器件基本结构 | 第18-19页 |
·浮栅MOS器件主要特点 | 第19-20页 |
·浮栅MOS建模及可控阈值的验证 | 第20-23页 |
·浮栅MOS器件建模 | 第20-21页 |
·浮栅MOS器件阈值可控的验证 | 第21-23页 |
·本章小结 | 第23-24页 |
第4章 浮栅MOS多米诺电路设计 | 第24-42页 |
·浮栅MOS阈值可控晶体管 | 第24-32页 |
·浮栅MOS阈值可控晶体管原理 | 第24-26页 |
·浮栅MOS阈值可控晶体管仿真验证 | 第26-29页 |
·浮栅MOS阈值可控晶体管漏电流分析 | 第29-32页 |
·浮栅MOS固定双阈值多米诺电路 | 第32-34页 |
·浮栅MOS固定双阈值多米诺或门 | 第32-33页 |
·浮栅MOS固定双阈值多米诺与门 | 第33-34页 |
·浮栅MOS固定双阈值多米诺异或门 | 第34页 |
·浮栅MOS可变双阈值多米诺电路 | 第34-37页 |
·浮栅MOS可变双阈值多米诺或门 | 第35-36页 |
·浮栅MOS可变双阈值多米诺与门 | 第36页 |
·浮栅MOS可变双阈值多米诺异或门 | 第36-37页 |
·浮栅MOS控阂多米诺电路 | 第37-40页 |
·浮栅MOS控阈多米诺或门 | 第38页 |
·浮栅MOS控阈多米诺与门 | 第38-39页 |
·浮栅MOS控阈多米诺异或门 | 第39-40页 |
·本章小结 | 第40-42页 |
第5章 新型电压缩放多米诺电路设计 | 第42-58页 |
·文献提出的多输入多米诺或门 | 第42-45页 |
·双阈值多米诺或门 | 第42-43页 |
·休眠管多米诺或门 | 第43-44页 |
·多电源电压多米诺或门 | 第44页 |
·电压缩放多米诺或门 | 第44-45页 |
·新型电压缩放多米诺技术 | 第45-48页 |
·新型电压缩放多米诺电路 | 第48-56页 |
·新型电压缩放多米诺电路工作原理 | 第48-49页 |
·衬底偏置技术的原理以应用 | 第49-50页 |
·低功耗多米诺或门 | 第50-53页 |
·低功耗多米诺与门 | 第53-55页 |
·低功耗多米诺异或门 | 第55-56页 |
·本章小结 | 第56-58页 |
第6章 总结与展望 | 第58-60页 |
参考文献 | 第60-63页 |
致谢 | 第63-64页 |
攻读学位期间发表的论文 | 第64页 |