| 致谢 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-20页 |
| ·石墨烯简介 | 第8-10页 |
| ·当前石墨烯研究热点 | 第10-14页 |
| ·石墨烯互联线 | 第10-11页 |
| ·石墨烯FET | 第11-12页 |
| ·石墨烯无源器件 | 第12-13页 |
| ·石墨烯光学和电磁器件 | 第13-14页 |
| ·石墨烯与新型二维材料异质结构 | 第14页 |
| ·类石墨烯二维材料 | 第14-16页 |
| ·二维材料氮化硼 | 第14-15页 |
| ·二维材料氟化石墨烯 | 第15-16页 |
| ·理论基础 | 第16-20页 |
| ·第一性原理 | 第16页 |
| ·密度泛函理论(DFT) | 第16页 |
| ·Ab initio科学计算软件SIESTA | 第16-17页 |
| ·Ab initio科学计算软件VASP | 第17-18页 |
| ·分子可视化程序VMD | 第18页 |
| ·三维可视化程序VESTA | 第18页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第18-20页 |
| 第二章 基于氟化石墨烯和氮化硼绝缘沟道的石墨烯隧穿场效应晶体管电学特性 | 第20-25页 |
| ·研究背景 | 第20-21页 |
| ·氟化石墨烯和氮化硼绝缘沟道的石墨烯TFET电学特性 | 第21-24页 |
| ·小结 | 第24-25页 |
| 第三章 二维SiC为基础的新型场效应晶体管电学特性研究 | 第25-30页 |
| ·研究背景 | 第25-27页 |
| ·二维SiC为基础的场效应晶体管的电学特性 | 第27-28页 |
| ·小结 | 第28-30页 |
| 第四章 石墨烯为基础的二维堆垛超晶格中能带调制 | 第30-45页 |
| ·研究背景 | 第30-33页 |
| ·计算参数设置 | 第33-35页 |
| ·结构稳定性 | 第35-37页 |
| ·基于二维材料层状堆垛超晶格的分类 | 第37-40页 |
| ·量子化能态与势垒宽度的依赖关系 | 第40-41页 |
| ·量子化能态与势阱宽度的依赖关系 | 第41-43页 |
| ·单面氟化石墨烯超晶格中的类型变化 | 第43-44页 |
| ·小结 | 第44-45页 |
| 第五章 氟化石墨烯和氮化硼作为石墨烯上ALD种子层生长电介质的潜在应用 | 第45-61页 |
| ·研究背景 | 第45-50页 |
| ·计算方法 | 第50-52页 |
| ·结果和讨论 | 第52-60页 |
| ·吸附结构优化和吸附能计算 | 第52-55页 |
| ·稳定吸附结构的电荷密度图 | 第55-58页 |
| ·异质结结构在吸附前后的电学特性变化 | 第58-60页 |
| ·小结 | 第60-61页 |
| 第六章 结束语和展望 | 第61-65页 |
| ·结论与结束语 | 第61页 |
| ·结论 | 第61页 |
| ·结束语 | 第61页 |
| ·对二维材料第一性原理计算研究方向的几点展望 | 第61-65页 |
| ·利用二维电介质材料实现对二硫化钼的静电掺杂 | 第61-63页 |
| ·氟化石墨烯在硅/石墨烯结构的太阳能电池或传感器中的应用 | 第63页 |
| ·外电场作用下双层石墨烯对H_2O分子吸附能力探究 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-73页 |
| 作者简介 | 第73页 |
| 攻读硕士期间已发表论文 | 第73页 |
