| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-25页 |
| 1.1 传统硅基集成电路的发展与挑战 | 第9-10页 |
| 1.2 二维纳米材料的涌现 | 第10-15页 |
| 1.2.1 石墨烯的性质 | 第11-12页 |
| 1.2.2 过渡金属硫族化合物和X-enes类材料的性质 | 第12-13页 |
| 1.2.3 二硒化钼的结构及性质 | 第13-15页 |
| 1.3 二硒化钼的制备方法 | 第15-19页 |
| 1.3.1 机械剥离法 | 第15-16页 |
| 1.3.2 水热法 | 第16-17页 |
| 1.3.3 分子束外延法 | 第17-18页 |
| 1.3.4 化学气相沉积法 | 第18-19页 |
| 1.4 二硒化钼基纳电子器件 | 第19-24页 |
| 1.4.1 场效应晶体管 | 第20-21页 |
| 1.4.2 光电探测器 | 第21-23页 |
| 1.4.3 传感器 | 第23-24页 |
| 1.5 本文的主要研究内容及意义 | 第24-25页 |
| 第二章 二硒化钼及其器件的制备与测试表征 | 第25-35页 |
| 2.1 材料的制备与表征 | 第25-30页 |
| 2.1.1 生长衬底的制备与处理 | 第25-26页 |
| 2.1.2 二硒化钼的合成 | 第26页 |
| 2.1.3 二硒化钼表面形貌的表征 | 第26-27页 |
| 2.1.4 二硒化钼厚度及光学能谱的表征 | 第27-29页 |
| 2.1.5 二硒化钼键合、组分及晶格结构的表征 | 第29-30页 |
| 2.2 器件制备流程及相关设备、工艺 | 第30-34页 |
| 2.3 器件电学性能测试 | 第34-35页 |
| 第三章 高质量可控二硒化钼的制备及其生长机理研究 | 第35-57页 |
| 3.1 CVD法-MoSe_2薄膜的合成 | 第35-36页 |
| 3.2 MoSe_2薄膜尺寸和层数的主要影响因素-气流量 | 第36-50页 |
| 3.2.1 不同气流量下的MoSe_2生长情况 | 第36-47页 |
| 3.2.2 大面积层数可控MoSe_2生长机理的探索 | 第47-50页 |
| 3.3 MoSe_2薄膜形状的主要影响因素-H_2含量 | 第50-56页 |
| 3.3.1 不同H_2含量下的MoSe_2生长情况 | 第50-55页 |
| 3.3.2 形状可控MoSe_2生长机理的探索 | 第55-56页 |
| 3.4 小结 | 第56-57页 |
| 第四章 二硒化钼场效应特性的研究 | 第57-69页 |
| 4.1 MoSe_2基背栅场效应晶体管的设计和实现 | 第57-60页 |
| 4.1.1 MoSe_2基背栅场效应晶体管的介绍 | 第57-58页 |
| 4.1.2 MoSe_2基背栅场效应晶体管的设计和实现 | 第58-60页 |
| 4.2 不同MoSe_2薄膜层数对器件性能的影响 | 第60-66页 |
| 4.2.1 单层MoSe_2基背栅场效应晶体管 | 第60-62页 |
| 4.2.2 双层MoSe_2基背栅场效应晶体管 | 第62-65页 |
| 4.2.3 单、双层MoSe_2基背栅场效应晶体管的性能对比及其机理探讨 | 第65-66页 |
| 4.3 不同形状MoSe_2基背栅场效应晶体管的性能 | 第66-67页 |
| 4.4 小结 | 第67-69页 |
| 第五章 总结与展望 | 第69-71页 |
| 5.1 论文总结 | 第69-70页 |
| 5.2 展望 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-77页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78页 |
