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IC工艺中Backend清洗液及其成本控制的研究

摘要第3-4页
Abstract第4页
1 绪论第7-15页
    1.1 本论文的研究领域和应用价值第7-9页
        1.1.1 所属研究领域第8页
        1.1.2 应用价值第8-9页
    1.2 国内外相关研究概况及发展趋势第9-11页
    1.3 本论文研究的内容、方法和要解决的实际问题第11-14页
        1.3.1 本论文研究的内容和方法第11页
        1.3.2 要解决的实际问题第11-14页
    1.4 本章小结第14-15页
2 蚀刻副产物清洗机制的研究第15-22页
    2.1 一般蚀刻副产物(Polymer)溶解模型第15-17页
    2.2 基于 65nm后段工艺副产物清除特点第17-21页
    2.3 本章小结第21-22页
3 现有清洗液A清洗机理的研究第22-28页
    3.1 光阻和蚀刻副产物结构分析第22-27页
    3.2 新清洗方案B的提出第27页
    3.3 本章小结第27-28页
4 新清洗液的实施建模第28-47页
    4.1 可行性报告第28页
    4.2 硬件设施组建第28-31页
    4.3 Offline数据收集第31-36页
        4.3.1 浓度分析第31-33页
        4.3.2 颗粒污染物分析第33-35页
        4.3.3 蚀刻速率(Etching Rate)分析第35-36页
    4.4 Inline数据分析第36-45页
        4.4.1 Inline Defects分析第36-37页
        4.4.2 Inline CD分析第37-38页
        4.4.3 Inline SEM和切片分析第38-39页
        4.4.4 Inline E-TEST分析第39-43页
        4.4.5 EOL(End Of Line)分析第43-45页
    4.5 工艺参数的检测和小规模生产第45-46页
    4.6 本章小结第46-47页
5 新方案成本控制分析第47-52页
    5.1 成本分析模型第47页
    5.2 实时侦测和成本分析第47-49页
    5.3 成本分析软件编写第49-51页
    5.4 本章小结第51-52页
结论第52-53页
参考文献第53-56页
附录A JMP成本控制程序代码第56-66页
致谢第66-67页

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