硅衬底平坦度在半导体制程中产生的缺陷研究
摘要 | 第4-5页 |
ABSTRACT | 第5页 |
第一章 绪论 | 第7-13页 |
1.1 集成电路的技术发展与展望 | 第8-10页 |
1.2 研究目的与研究意义 | 第10-11页 |
1.3 论文的主要工作 | 第11页 |
1.4 论文的组织结构 | 第11-13页 |
第二章 晶圆和半导体制造介绍 | 第13-27页 |
2.1 晶圆的制造过程 | 第13-15页 |
2.1.1 硅单晶的介绍 | 第13页 |
2.1.2 晶圆的制造流程 | 第13-15页 |
2.2 半导体的制造过程介绍 | 第15-27页 |
2.2.1 半导体的制造环境 | 第15-16页 |
2.2.2 半导体的制造过程介绍 | 第16-27页 |
第三章 晶圆翘曲度异常对半导体制造的影响 | 第27-40页 |
3.1 半导体制造公司生产线的翘曲度异常描述 | 第27页 |
3.2 半导体制造公司生产线的翘曲度异常相关试验 | 第27-36页 |
3.3 实验的相关分析结果 | 第36-40页 |
第四章 改善晶圆平坦度异常的工艺优化 | 第40-44页 |
4.1 硅衬底翘曲度的过程控制改善 | 第40-41页 |
4.2 硅衬底翘曲度的出货检验改善 | 第41-42页 |
4.3 硅衬底翘曲度改善后效果评估 | 第42-44页 |
第五章 结论与展望 | 第44-46页 |
5.1 结论 | 第44-45页 |
5.2 研究不足与展望 | 第45-46页 |
参考文献 | 第46-49页 |
发表论文和参加科研情况说明 | 第49-50页 |
致谢 | 第50-51页 |