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硅衬底平坦度在半导体制程中产生的缺陷研究

摘要第4-5页
ABSTRACT第5页
第一章 绪论第7-13页
    1.1 集成电路的技术发展与展望第8-10页
    1.2 研究目的与研究意义第10-11页
    1.3 论文的主要工作第11页
    1.4 论文的组织结构第11-13页
第二章 晶圆和半导体制造介绍第13-27页
    2.1 晶圆的制造过程第13-15页
        2.1.1 硅单晶的介绍第13页
        2.1.2 晶圆的制造流程第13-15页
    2.2 半导体的制造过程介绍第15-27页
        2.2.1 半导体的制造环境第15-16页
        2.2.2 半导体的制造过程介绍第16-27页
第三章 晶圆翘曲度异常对半导体制造的影响第27-40页
    3.1 半导体制造公司生产线的翘曲度异常描述第27页
    3.2 半导体制造公司生产线的翘曲度异常相关试验第27-36页
    3.3 实验的相关分析结果第36-40页
第四章 改善晶圆平坦度异常的工艺优化第40-44页
    4.1 硅衬底翘曲度的过程控制改善第40-41页
    4.2 硅衬底翘曲度的出货检验改善第41-42页
    4.3 硅衬底翘曲度改善后效果评估第42-44页
第五章 结论与展望第44-46页
    5.1 结论第44-45页
    5.2 研究不足与展望第45-46页
参考文献第46-49页
发表论文和参加科研情况说明第49-50页
致谢第50-51页

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