| 摘要 | 第1-6页 |
| abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-30页 |
| ·引言 | 第10-12页 |
| ·Ⅲ族氮化物半导体材料 | 第12-17页 |
| ·材料发展历史 | 第12-13页 |
| ·材料生长与材料特性 | 第13-15页 |
| ·Ⅲ族氮化物紫外探测器件 | 第15-17页 |
| ·碳化硅半导体材料 | 第17-20页 |
| ·材料发展历史 | 第17页 |
| ·材料生长与材料特性 | 第17-19页 |
| ·碳化硅紫外探测器件 | 第19-20页 |
| ·紫外探测器件主要参数 | 第20-23页 |
| ·本论文的主要研究工作 | 第23-24页 |
| 参考文献 | 第24-30页 |
| 第二章 HVPE生长的高阻GaN：Fe MSM结构紫外探测器 | 第30-42页 |
| ·研究背景与意义 | 第30页 |
| ·材料性能与器件制备 | 第30-32页 |
| ·样品性能 | 第32-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-42页 |
| 第三章 宽禁带半导体光电导开关器件 | 第42-59页 |
| ·光电导开关研究背景 | 第42-43页 |
| ·光电导开关分类 | 第43-44页 |
| ·光电导开关制备工艺与测试电路 | 第44-45页 |
| ·HVPE生长的高阻GaN：Fe光电导开关器件 | 第45-48页 |
| ·高阻AlGaN基光电导开关器件 | 第48-55页 |
| ·材料背景 | 第48-49页 |
| ·器件性能 | 第49-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 第四章 SiC基紫外雪崩光电探测器物理分析 | 第59-103页 |
| ·SiC基紫外雪崩光电探测器制备 | 第59-68页 |
| ·研究背景与意义 | 第59-62页 |
| ·SiC基APD探测器制备工艺 | 第62-64页 |
| ·SiC基APD雪崩光电探测器性能 | 第64-68页 |
| ·SiC基雪崩光电探测器表面势测量 | 第68-82页 |
| ·背景介绍 | 第68-73页 |
| ·模型分析与器件对比 | 第73-79页 |
| ·测量结果与分析 | 第79-82页 |
| ·SiC基雪崩光电探测器的光响应均匀性分析 | 第82-88页 |
| ·SiC基薄i层雪崩光电探测器的隧穿特性 | 第88-97页 |
| ·背景介绍 | 第88-92页 |
| ·器件结构与特性 | 第92-97页 |
| ·本章小结 | 第97-99页 |
| 参考文献 | 第99-103页 |
| 第五章 总结与展望 | 第103-106页 |
| ·论文工作总结 | 第103-105页 |
| ·工作展望 | 第105-106页 |
| 致谢 | 第106-107页 |
| 发表论文目录 | 第107-108页 |