ArF浸没光刻双工件台运动模型研究

致谢	第1-6页
摘要	第6-7页
ABSTRACT	第7-11页
第1章 绪论	第11-33页
·引言	第11-12页
·光刻技术发展现状	第12-15页
·ArF 浸没式双工件台光刻技术	第13页
·EUV 光刻技术	第13页
·纳米压印光刻技术	第13-14页
·表面等离子体光刻技术	第14页
·电子束无掩模光刻技术	第14-15页
·小结	第15页
·ArF 浸没式双工件台光刻机发展概述	第15-30页
·浸没光刻技术	第15-21页
·Nikon 浸没解决方案	第19-20页
·ASML 浸没解决方案	第20页
·Canon 浸没解决方案	第20-21页
·双工件台技术	第21-30页
·ASML 双工件台光刻机	第21-23页
·Nikon 双工件台光刻机	第23-26页
·双工件台光刻机性能优势	第26-30页
·论文结构安排	第30-33页
第2章 步进扫描运动模型研究	第33-71页
·引言	第33页
·步进扫描运动坐标系的建立	第33-37页
·硅片坐标系及其对准标记	第34-35页
·工件台坐标系及其对准标记	第35页
·掩模坐标系及其对准标记	第35-36页
·掩模台坐标系及其对准标记	第36页
·整机机器坐标系	第36-37页
·步进扫描运动中的坐标变换	第37-49页
·双工件台光刻机中的套刻流程	第38-40页
·掩模预对准与硅片预对准	第38-39页
·硅片离轴对准与工件台离轴对准	第39-40页
·掩模与工件台同轴对准	第40页
·高精度套刻算法研究	第40-49页
·硅片坐标系向工件台坐标系的坐标变换	第40-48页
·掩模坐标系向工件台坐标系的坐标变换	第48页
·小结	第48-49页
·步进运动模型研究	第49-51页
·同步扫描运动模型研究	第51-55页
·工件台同步扫描运动模型研究	第52-53页
·掩模台同步扫描运动模型研究	第53-55页
·步进扫描运动轨迹规划	第55-60页
·步进运动轨迹规划	第55-57页
·同步扫描运动轨迹规划	第57-60页
·接收初始控制数据	第57页
·扫描方向运动轨迹规划	第57-59页
·零速点辨识	第59页
·时间段圆整	第59-60页
·同步扫描运动研究	第60-70页
·同步扫描实验平台的构建	第60-65页
·同步扫描运动仿真分析及实验研究	第65-68页
·扫描平台结构优化	第68-70页
·本章小结	第70-71页
第3章 焦面控制运动模型研究	第71-89页
·引言	第71-72页
·双工件台光刻机中三维形貌的生成	第72-76页
·双工件台光刻机中的光栅检焦测量	第72-75页
·硅片三维形貌扫描测量	第75-76页
·硅片表面的曲面拟合	第76-77页
·狭缝曝光场离焦量的计算	第77-81页
·调平调焦解耦计算	第81-84页
·调平调焦实现	第84-86页
·仿真分析	第86-87页
·本章小结	第87-89页
第4章 浸没光刻技术研究	第89-111页
·引言	第89-90页
·浸没光刻理论分析	第90-94页
·浸没装置密封性	第92-93页
·浸没装置中气泡夹带	第93-94页
·浸液流场的均一性	第94页
·浸没光刻实验研究	第94-101页
·带均压槽的小孔密封浸没实验系统	第95-98页
·环形狭缝密封浸没实验系统	第98-100页
·自适应的环形狭缝密封浸没实验系统	第100-101页
·浸没光刻仿真分析	第101-110页
·本章小结	第110-111页
第5章 总结与展望	第111-113页
·总结	第111页
·主要创新点	第111-112页
·展望	第112-113页
参考文献	第113-117页
作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果	第117-118页