高精度BiCMOS基准源温度补偿策略及电路实现
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·基准源电路的研究背景和意义 | 第7页 |
| ·国内外研究的历史、现状与趋势 | 第7-11页 |
| ·本文的主要内容 | 第11-13页 |
| 第二章 基准源电路的工作原理及结构分析 | 第13-23页 |
| ·基准源的主要性能参数 | 第13-14页 |
| ·带隙基准源的工作原理 | 第14-17页 |
| ·V_(BE)的负温度系数特性 | 第14-15页 |
| ·△V_(BE)的正温度系数特性 | 第15-16页 |
| ·带隙基准电压的产生 | 第16-17页 |
| ·传统带隙基准源的电路结构 | 第17-21页 |
| ·Widlar带隙基准源 | 第18-19页 |
| ·Brokaw带隙基准源 | 第19-20页 |
| ·CMOS带隙基准源 | 第20-21页 |
| ·本章小结 | 第21-23页 |
| 第三章 基准源高阶补偿策略 | 第23-31页 |
| ·V_(BE)的高阶温度特性 | 第23-24页 |
| ·常见高阶温度补偿策略 | 第24-30页 |
| ·二阶曲率补偿法 | 第24-25页 |
| ·指数曲率补偿法 | 第25-26页 |
| ·利用电阻的温度特性法 | 第26-27页 |
| ·V_(BE)线性化法 | 第27-28页 |
| ·分段线性补偿法 | 第28-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第四章 温度补偿高精度基准电压源设计 | 第31-61页 |
| ·基准源的模式选择 | 第31-36页 |
| ·电压求和模式带隙基准源 | 第32-35页 |
| ·电流求和模式带隙基准源 | 第35-36页 |
| ·基准源的总体设计 | 第36-54页 |
| ·工作电压VDDL的设计 | 第37-38页 |
| ·亚阈值运放的设计 | 第38-42页 |
| ·PTAT电流模块的设计 | 第42-44页 |
| ·CTAT电流模块的设计 | 第44-46页 |
| ·启动和偏置电路的设计 | 第46-48页 |
| ·基准源整体电路结构 | 第48-54页 |
| ·基准源的高阶温度补偿 | 第54-59页 |
| ·利用电阻的温度特性法 | 第54-57页 |
| ·V_(BE)线性化法 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 版图设计 | 第61-71页 |
| ·版图设计的基本考虑 | 第61-66页 |
| ·匹配性设计 | 第61-64页 |
| ·消除耦合的设计 | 第64-65页 |
| ·减小寄生参数的设计 | 第65-66页 |
| ·基准源的版图设计 | 第66-68页 |
| ·电流镜版图的设计 | 第66-67页 |
| ·运放输入对管版图的设计 | 第67-68页 |
| ·三极管版图的设计 | 第68页 |
| ·带隙整体电路的版图设计 | 第68页 |
| ·本章小结 | 第68-71页 |
| 第六章 总结与展望 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 研究成果 | 第79-80页 |
