| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 集成电路静电放电的基本概念 | 第8-20页 |
| ·静电放电的原因及其危害 | 第8-9页 |
| ·静电放电的过程及其模型 | 第9-14页 |
| ·人体模型(Human—Body Model,HBM) | 第9-11页 |
| ·机器放电模型(Machine Model,MM) | 第11-12页 |
| ·器件充电模型(Charged-Device Model,CDM) | 第12-14页 |
| ·电场感应模型(Field-Induced Model,FIM) | 第14页 |
| ·静电放电的测试和防护 | 第14-18页 |
| ·静电放电的测试 | 第14-16页 |
| ·静电放电的防护 | 第16-18页 |
| ·本论文的目的与意义 | 第18-20页 |
| 第二章 GGNMOS器件物理与相关物理效应 | 第20-28页 |
| ·GGNMOS保护器件及其作用 | 第20-21页 |
| ·寄生PN结的物理分析 | 第21-23页 |
| ·寄生BJT的作用分析 | 第23-25页 |
| ·常态和应力条件下GGNMOS器件的工作特性 | 第25-28页 |
| 第三章 静电放电(ESD)瞬态过程的数学处理 | 第28-40页 |
| ·模型方程 | 第28-30页 |
| ·半导体参数模型 | 第30-36页 |
| ·载流子迁移率 | 第30-33页 |
| ·载流子产生率和复合率 | 第33-36页 |
| ·模型方程的数值求解 | 第36-40页 |
| 第四章 GGNMOS静电放电过程的分析 | 第40-65页 |
| ·器件结构的确定 | 第40-41页 |
| ·放电过程的分段分析 | 第41-54页 |
| ·触发过程 | 第42-48页 |
| ·Snapback负阻区 | 第48-49页 |
| ·维持点 | 第49-50页 |
| ·Snapback正阻区 | 第50-54页 |
| ·放电过程中的温度变化 | 第54-57页 |
| ·二次击穿与器件损坏 | 第57-62页 |
| ·衬底掺杂浓度的影响 | 第62-64页 |
| 附录: | 第64-65页 |
| 第五章 主要结论与工作展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
