| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·研究背景及重要意义 | 第7-8页 |
| ·国内外发展现状 | 第8-9页 |
| ·论文内容结构及特色 | 第9-11页 |
| ·内容结构 | 第9-10页 |
| ·本文特色 | 第10-11页 |
| 第二章 CMOS器件中的薄膜材料 | 第11-27页 |
| ·常用材料的生长方式 | 第11-14页 |
| ·APCVD | 第12页 |
| ·LPCVD | 第12-13页 |
| ·等离子体辅助CVD | 第13-14页 |
| ·刻蚀技术 | 第14-17页 |
| ·化学刻蚀 | 第14-15页 |
| ·物理刻蚀 | 第15页 |
| ·化学物理刻蚀 | 第15-16页 |
| ·等离子刻蚀原理 | 第16-17页 |
| ·常用材料的刻蚀工艺技术 | 第17-26页 |
| ·Si02的刻蚀 | 第17-20页 |
| ·Si3N4的刻蚀 | 第20-22页 |
| ·SiON的刻蚀 | 第22-23页 |
| ·多晶硅的刻蚀 | 第23-25页 |
| ·Al的刻蚀 | 第25-26页 |
| ·小结 | 第26-27页 |
| 第三章 微米工艺实现纳米CMOS器件的结构设计 | 第27-39页 |
| ·微米工艺形成纳米CMOS器件的图形制备技术 | 第27-31页 |
| ·光刻胶灰化技术 | 第27-29页 |
| ·侧墙图形转移技术 | 第29-31页 |
| ·微米CMOS工艺中形成超浅源/漏结的工艺技术 | 第31-32页 |
| ·基于微米工艺的纳米CMOS器件的结构设计 | 第32-39页 |
| ·侧墙结构设计 | 第33-35页 |
| ·栅电极的引出方法 | 第35-38页 |
| ·RTA固相扩散形成SDE | 第38-39页 |
| 第四章 微米工艺实现纳米CMOS器件的工艺设计 | 第39-57页 |
| ·微米工艺实现纳米CMOS器件的工艺流程 | 第39页 |
| ·微米工艺实现纳米CMOS器件的工艺步骤 | 第39-53页 |
| ·微米工艺实现纳米CMOS器件的版图设计 | 第53-57页 |
| 第五章 微米工艺实现纳米CMOS器件的实验结果和分析 | 第57-62页 |
| ·实验结果 | 第57-60页 |
| ·实验参数 | 第57-58页 |
| ·实验结果 | 第58-60页 |
| ·结果分析 | 第60-62页 |
| 第六章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 研究成果 | 第68-69页 |