| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 课题的研究背景和意义 | 第9-10页 |
| 1.2 芯片互连工艺以及互连结构材料特征 | 第10-11页 |
| 1.3 化学机械抛光技术 | 第11-13页 |
| 1.4 国内外对CMP材料去除机理的研究 | 第13-17页 |
| 1.4.1 磨粒磨损机理 | 第14-15页 |
| 1.4.2 化学作用机理 | 第15页 |
| 1.4.3 抛光液纳米流体薄膜理论 | 第15-16页 |
| 1.4.4 分子去除机理 | 第16-17页 |
| 1.5 影响CMP去除的主要因素 | 第17-18页 |
| 1.5.1 抛光垫 | 第17页 |
| 1.5.2 抛光液 | 第17-18页 |
| 1.5.3 工艺参数 | 第18页 |
| 1.6 化学机械抛光存在的问题 | 第18-19页 |
| 1.7 论文主要研究内容 | 第19-21页 |
| 第二章 互连芯片CMP加工原理 | 第21-31页 |
| 2.1 引言 | 第21页 |
| 2.2 纳米压痕测试原理 | 第21-23页 |
| 2.3 弹塑性接触问题求解 | 第23-25页 |
| 2.3.1 有限元建模分析材料形变的几个重要准则 | 第23-25页 |
| 2.4 有限元法分析材料形变的接触本构模型 | 第25-29页 |
| 2.4.1 应力/应变本构关系 | 第25-27页 |
| 2.4.2 弹塑性本构模型 | 第27页 |
| 2.4.3 本构模型相关参数确定 | 第27-28页 |
| 2.4.4 本构模型材料损伤准则 | 第28-29页 |
| 2.5 接触力学模型 | 第29-30页 |
| 2.6 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 氧化膜对CMP接触去除的影响 | 第31-43页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 粗糙表面形貌的表征方法 | 第31-33页 |
| 3.3 磨粒与芯片互连层分形表面接触有限元建模 | 第33-36页 |
| 3.4 磨粒与芯片接触过程分析与讨论 | 第36-41页 |
| 3.4.1 动态接触过程的应力分析 | 第36-40页 |
| 3.4.2 接触过程中力的分析 | 第40-41页 |
| 3.4.3 材料去除的分析 | 第41页 |
| 3.5 本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 单磨粒犁削芯片表面材料去除的数值建模 | 第43-61页 |
| 4.1 引言 | 第43页 |
| 4.2 单磨粒与粗糙表面摩擦接触分析 | 第43-45页 |
| 4.2.1 摩擦接触材料去除的表征 | 第43-44页 |
| 4.2.2 CMP接触去除分析 | 第44-45页 |
| 4.3 单磨粒滑动摩擦接触有限元建模 | 第45-46页 |
| 4.4 动态数值模拟结果分析与讨论 | 第46-57页 |
| 4.4.1 CMP加工磨粒与芯片动态接触应力分布 | 第47-49页 |
| 4.4.2 CMP加工磨粒与芯片动态接触过程接触力的分析 | 第49-51页 |
| 4.4.3 CMP加工磨粒与芯片动态接触过程应力的分析 | 第51-55页 |
| 4.4.4 CMP加工磨粒与芯片动态接触过程材料去除率的分析 | 第55-57页 |
| 4.5 正交分析加工参数对CMP材料去除率影响 | 第57-60页 |
| 4.6 本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 芯片CMP互连结构损伤的数值建模 | 第61-73页 |
| 5.1 引言 | 第61页 |
| 5.2 单颗磨粒与芯片互连结构接触建模 | 第61-63页 |
| 5.3 互连结构实体模型的验证 | 第63-64页 |
| 5.4 预测模型的比较 | 第64-65页 |
| 5.5 犁削接触过程动态数值模拟结果与分析 | 第65-68页 |
| 5.5.1 芯片互连结构裂纹以及应力分布 | 第65-66页 |
| 5.5.2 接触过程中应力的分析 | 第66-68页 |
| 5.6 CMP接触过程能量的分析 | 第68-71页 |
| 5.7 本章小结 | 第71-73页 |
| 第六章 结论与展望 | 第73-75页 |
| 6.1 结论 | 第73-74页 |
| 6.2 课题创新点 | 第74页 |
| 6.3 展望 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 个人简介 | 第82页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第82页 |
