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亚像素扫描调制系统参数优化研究

摘要第3-4页
ABSTRACT第4页
第一章 绪论第8-18页
    1.1 无掩模制作技术的发展第8-11页
        1.1.1 电子束光刻技术第8页
        1.1.2 离子束光刻技术第8-9页
        1.1.3 激光干涉光刻技术第9-10页
        1.1.4 波带片阵列光刻技术第10-11页
        1.1.5 数字无掩模光刻技术第11页
    1.2 数字光刻提高分辨率的研究现状第11-17页
        1.2.1 离轴照明技术第12-13页
        1.2.2 光学邻近效应校正技术第13-15页
        1.2.3 移相掩模技术第15页
        1.2.4 数字分形掩模技术第15-17页
    1.3 论文主要的研究内容安排第17-18页
第二章 亚像素扫描调制光刻技术第18-35页
    2.1 前言第18页
    2.2 亚像素扫描调制光刻技术研究第18-20页
    2.3 基于DMD无掩模光学光刻的L/S模型第20-21页
    2.4 亚像素扫描调制数字掩模设计第21-23页
    2.5 仿真模拟研究第23-34页
        2.5.1 亚像素单方向扫描提高分辨率的机理第23-24页
        2.5.2 亚像素扫描调制数字掩模优化机理第24-34页
    2.6 本章小结第34-35页
第三章 亚像素调制光刻系统设计第35-48页
    3.1 前言第35-36页
    3.2 亚像素调制光源系统第36-41页
        3.2.1 紫外曝光光源第36页
        3.2.2 数字微镜器件(DMD)第36-37页
        3.2.3 投影物镜第37-38页
        3.2.4 分束镜第38-39页
        3.2.5 亚像素调制光源系统的调整第39-41页
    3.3 亚像素调制电控系统第41-44页
        3.3.1 步进电机第41-42页
        3.3.2 工件台第42-43页
        3.3.3 电控系统的改进第43-44页
    3.4 亚像素调制反馈系统第44-46页
        3.4.1 电荷耦合器件(CCD)第44-45页
        3.4.2 CCD调焦技术第45页
        3.4.3 反馈系统的调整第45-46页
    3.5 系统主要性能指标测量第46-47页
    3.6 本章小结第47-48页
第四章 实验研究第48-62页
    4.1 前言第48页
    4.2 实验制作工艺第48-52页
        4.2.1 基底表面预处理第48-49页
        4.2.2 涂胶第49-50页
        4.2.3 前烘第50页
        4.2.4 曝光第50-51页
        4.2.5 后烘第51页
        4.2.6 显影定影第51-52页
        4.2.7 显微测量第52页
    4.3 实验制作第52-61页
        4.3.1 实验主要参数第52-53页
        4.3.2 亚像素分辨率测试实验第53-54页
        4.3.3 亚像素扫描数字掩模优化实验第54-61页
    4.4 本章小结第61-62页
第五章 总结与展望第62-64页
    5.1 总结第62-63页
    5.2 展望第63-64页
参考文献第64-69页
致谢第69-70页

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