亚像素扫描调制系统参数优化研究
摘要 | 第3-4页 |
ABSTRACT | 第4页 |
第一章 绪论 | 第8-18页 |
1.1 无掩模制作技术的发展 | 第8-11页 |
1.1.1 电子束光刻技术 | 第8页 |
1.1.2 离子束光刻技术 | 第8-9页 |
1.1.3 激光干涉光刻技术 | 第9-10页 |
1.1.4 波带片阵列光刻技术 | 第10-11页 |
1.1.5 数字无掩模光刻技术 | 第11页 |
1.2 数字光刻提高分辨率的研究现状 | 第11-17页 |
1.2.1 离轴照明技术 | 第12-13页 |
1.2.2 光学邻近效应校正技术 | 第13-15页 |
1.2.3 移相掩模技术 | 第15页 |
1.2.4 数字分形掩模技术 | 第15-17页 |
1.3 论文主要的研究内容安排 | 第17-18页 |
第二章 亚像素扫描调制光刻技术 | 第18-35页 |
2.1 前言 | 第18页 |
2.2 亚像素扫描调制光刻技术研究 | 第18-20页 |
2.3 基于DMD无掩模光学光刻的L/S模型 | 第20-21页 |
2.4 亚像素扫描调制数字掩模设计 | 第21-23页 |
2.5 仿真模拟研究 | 第23-34页 |
2.5.1 亚像素单方向扫描提高分辨率的机理 | 第23-24页 |
2.5.2 亚像素扫描调制数字掩模优化机理 | 第24-34页 |
2.6 本章小结 | 第34-35页 |
第三章 亚像素调制光刻系统设计 | 第35-48页 |
3.1 前言 | 第35-36页 |
3.2 亚像素调制光源系统 | 第36-41页 |
3.2.1 紫外曝光光源 | 第36页 |
3.2.2 数字微镜器件(DMD) | 第36-37页 |
3.2.3 投影物镜 | 第37-38页 |
3.2.4 分束镜 | 第38-39页 |
3.2.5 亚像素调制光源系统的调整 | 第39-41页 |
3.3 亚像素调制电控系统 | 第41-44页 |
3.3.1 步进电机 | 第41-42页 |
3.3.2 工件台 | 第42-43页 |
3.3.3 电控系统的改进 | 第43-44页 |
3.4 亚像素调制反馈系统 | 第44-46页 |
3.4.1 电荷耦合器件(CCD) | 第44-45页 |
3.4.2 CCD调焦技术 | 第45页 |
3.4.3 反馈系统的调整 | 第45-46页 |
3.5 系统主要性能指标测量 | 第46-47页 |
3.6 本章小结 | 第47-48页 |
第四章 实验研究 | 第48-62页 |
4.1 前言 | 第48页 |
4.2 实验制作工艺 | 第48-52页 |
4.2.1 基底表面预处理 | 第48-49页 |
4.2.2 涂胶 | 第49-50页 |
4.2.3 前烘 | 第50页 |
4.2.4 曝光 | 第50-51页 |
4.2.5 后烘 | 第51页 |
4.2.6 显影定影 | 第51-52页 |
4.2.7 显微测量 | 第52页 |
4.3 实验制作 | 第52-61页 |
4.3.1 实验主要参数 | 第52-53页 |
4.3.2 亚像素分辨率测试实验 | 第53-54页 |
4.3.3 亚像素扫描数字掩模优化实验 | 第54-61页 |
4.4 本章小结 | 第61-62页 |
第五章 总结与展望 | 第62-64页 |
5.1 总结 | 第62-63页 |
5.2 展望 | 第63-64页 |
参考文献 | 第64-69页 |
致谢 | 第69-70页 |