| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 稀磁半导体材料的概述 | 第10-13页 |
| 1.3 ZnO基稀磁半导体材料的概述 | 第13-17页 |
| 1.3.1 ZnO材料的基本性质 | 第13-15页 |
| 1.3.2 ZnO基稀磁半导体材料的研究进展 | 第15-17页 |
| 1.4 论文结构与主要研究内容 | 第17-19页 |
| 参考文献 | 第19-22页 |
| 第二章 ZnO材料的制备技术和表征方法 | 第22-37页 |
| 2.1 ZnO材料的制备技术 | 第22-23页 |
| 2.2 离子注入 | 第23-26页 |
| 2.3 ZnO基稀磁半导体的材料表征方法 | 第26-34页 |
| 2.3.1 X射线衍射谱 | 第26-29页 |
| 2.3.2 拉曼光谱 | 第29-31页 |
| 2.3.3 光致发光谱 | 第31-32页 |
| 2.3.4 Hall 测量 | 第32-33页 |
| 2.3.5 PPMS 测量 | 第33-34页 |
| 2.4 小结 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-37页 |
| 第三章 离子注入Co掺杂ZnO薄膜的结构和性质 | 第37-54页 |
| 3.1 引言 | 第37-38页 |
| 3.2 不同退火温度对材料结构和性质的影响 | 第38-49页 |
| 3.3 小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 第四章 不同能量和剂量Co离子注入的ZnO：Co样品的结构和性质 | 第54-70页 |
| 4.1 引言 | 第54页 |
| 4.2 不同注入能量和掺杂浓度的ZnO：Co样品的结构和性质研究 | 第54-67页 |
| 4.3 小结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
| 第五章 总结与展望 | 第70-73页 |
| 攻读硕士期间发表学术论文 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |