| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-22页 |
| 1.1 高k材料的研究现状 | 第15-17页 |
| 1.1.1 高k栅介质的研究背景 | 第15-16页 |
| 1.1.2 等效氧化层厚度EOT的减薄 | 第16-17页 |
| 1.2 高k栅介质器件的可靠性问题 | 第17-20页 |
| 1.2.1 对迁移率的影响及改善 | 第17-20页 |
| 1.2.2 对其他特性的影响及改善 | 第20页 |
| 1.3 本文的主要研究工作与内容安排 | 第20-22页 |
| 第二章 La系高k材料的特点及制备方式 | 第22-31页 |
| 2.1 高k栅介质材料的选取 | 第22-24页 |
| 2.2 La系高k栅介质的优缺点 | 第24-25页 |
| 2.2.1 La系高k栅介质的优点 | 第24-25页 |
| 2.2.2 La系高k栅介质的缺点 | 第25页 |
| 2.2.3 LaAlO_3高k栅介质 | 第25页 |
| 2.3 高k栅介质薄膜的制备 | 第25-29页 |
| 2.3.1 几种常见的制备方式 | 第25-27页 |
| 2.3.2 几种制备方式的对比 | 第27页 |
| 2.3.3 ALD淀积技术 | 第27-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 LaAlO_3高k材料的ALD淀积与特性优化 | 第31-47页 |
| 3.1 La源温度的优化 | 第31-33页 |
| 3.1.1 实验设备及原理 | 第31-32页 |
| 3.1.2 工艺参数设置及实验步骤 | 第32页 |
| 3.1.3 实验结果与分析 | 第32-33页 |
| 3.2 不同层次结构对LaAlO_3特性的影响 | 第33-44页 |
| 3.2.1 样品分组与实验步骤 | 第34-36页 |
| 3.2.2 XPS测试结果与分析 | 第36-41页 |
| 3.2.3 C-V电特性的测试结果与分析 | 第41-44页 |
| 3.3 本章小结 | 第44-47页 |
| 第四章 小尺寸高k栅介质器件的总剂量辐照特性 | 第47-65页 |
| 4.1 总剂量辐照效应 | 第47-49页 |
| 4.1.1 辐照损伤的机理 | 第47-48页 |
| 4.1.2 总剂量辐照的影响因素及加固 | 第48-49页 |
| 4.1.3 高k栅介质面临的辐照问题 | 第49页 |
| 4.2 ISE TCAD软件中高k新材料的引入 | 第49-52页 |
| 4.2.1 ISE TCAD仿真软件简介 | 第49-50页 |
| 4.2.2 高k材料各项参数的设定 | 第50-51页 |
| 4.2.3 ISE软件中高k新材料的添加 | 第51-52页 |
| 4.3 小尺寸高k栅MOS器件的辐照仿真 | 第52-59页 |
| 4.3.1 65nm MOS器件的结构及掺杂设置 | 第53-55页 |
| 4.3.2 栅介质材料对小尺寸MOS器件辐照特性的影响 | 第55-58页 |
| 4.3.3 栅电极材料对小尺寸MOS器件辐照特性的影响 | 第58-59页 |
| 4.4 小尺寸高k栅SOI器件的辐照仿真 | 第59-63页 |
| 4.4.1 60nm SOI器件的结构及掺杂设置 | 第59-60页 |
| 4.4.2 栅介质材料对小尺寸SOI器件辐照特性的影响 | 第60-63页 |
| 4.4.3 栅电极材料对小尺寸MOS器件辐照特性的影响 | 第63页 |
| 4.5 本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 结论与展望 | 第65-67页 |
| 5.1 结论 | 第65-66页 |
| 5.2 展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 作者简介 | 第73-74页 |
